ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
R1LP0108ESF-5SI#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I เรเนซัส อิเล็กทรอนิกส์ อเมริกา อินค
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | แรม |
IS21ES04G-JCLI IC FLASH 32GBIT EMMC 153VFBGA ISSI, บริษัท ซิลิคอนอินเทกรีต โซลูชั่น
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แฟลช |
| เทคโนโลย: | แฟลช - NAND (MLC) |
CAT28C512LI12 IC EEPROM 512KBIT ขนาน 32DIP ออนเซมิ
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | อีพรอม |
| เทคโนโลย: | อีพรอม |
NM27C010T120 IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32TSOP บนครึ่ง
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | อีพรอม |
| เทคโนโลย: | EPROM-OTP |
CY7C0852V-133AXI IC SRAM 4.5MBIT PAR 176TQFP ไซเปรสเซมคอนดักเตอร์คอร์ป
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SRAM - พอร์ตคู่, ซิงโครนัส |
MT41J128M16JT-093:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA บริษัท มิกรออน เทคโนโลยี
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SDRAM - DDR3 |
71V546S100PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP เรเนซัส อิเล็กทรอนิกส์ อเมริกา อินค
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SRAM - ซิงโครนัส, SDR (ZBT) |
M95160-RMB6TG IC EEPROM 16KBIT SPI 8UFDFPN STไมโครอิเล็กทรอนิกส์
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | อีพรอม |
| เทคโนโลย: | อีพรอม |
R1EX25008ATA00I#S0 IC EEPROM 8KBIT SPI 5MHZ 8TSSOP รีเนเซส อิเล็กทรอนิกส์ อเมริกา
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | อีพรอม |
| เทคโนโลย: | อีพรอม |
AS4C4M32S-7BCN IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA อัลไลอันซ์ แมมมรี่, Inc.
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | เอสดีแรม |