ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
คำหลัก [ ic ] การจับคู่ 1991 ผลิตภัณฑ์.
IS43LD16640A-25BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA ISSI, บริษัท ซิลิคอนอินเทกรีต โซลูชั่น จํากัด
ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
---|---|
รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
เทคโนโลย: | SDRAM - มือถือ LPDDR2 |
AS7C316098A-10BIN IC SRAM 16MBIT ขนาน 48TFBGA Alliance Memory, Inc.
ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
---|---|
รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
เทคโนโลย: | SRAM - อะซิงโครนัส |
CY7C1071DV33-12BAXI IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA เทคโนโลยี Infineon
ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
---|---|
รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
เทคโนโลย: | SRAM - อะซิงโครนัส |
AT24C512C-MAHM-T IC EEPROM 512KBIT I2C 8UDFN เทคโนโลยีไมโครชิป
ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
---|---|
รูปแบบหน่วยความจำ: | อีพรอม |
เทคโนโลย: | อีพรอม |
AT25020AY1-10YU-1.8 IC EEPROM 2KBIT SPI 20MHZ 8MAP เทคโนโลยีไมโครชิป
ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
---|---|
รูปแบบหน่วยความจำ: | อีพรอม |
เทคโนโลย: | อีพรอม |
71V416S12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA รีเนเซส อิเล็กทรอนิกส์ อเมริกา
ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
---|---|
รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
เทคโนโลย: | SRAM - อะซิงโครนัส |
W25X20CLUXIG TR IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8USON วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์
ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
---|---|
รูปแบบหน่วยความจำ: | แฟลช |
เทคโนโลย: | แฟลช |
BR24G128NUX-3ATTR IC EEPROM 128KBIT VSON008X2030 โรห์ม เซมคอนดักเตอร์
ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
---|---|
รูปแบบหน่วยความจำ: | อีพรอม |
เทคโนโลย: | อีพรอม |
71V424S10YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ เรเนซัส อิเล็กทรอนิกส์ อเมริกา อินค
ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
---|---|
รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
เทคโนโลย: | SRAM - อะซิงโครนัส |
IS25LP128-JKLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON ISSI บริษัท ซิลิคอนอินเทกรีท สลูชั่นอินค
ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
---|---|
รูปแบบหน่วยความจำ: | แฟลช |
เทคโนโลย: | แฟลช - NOR |