ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
IS43LD16640A-25BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA ISSI, บริษัท ซิลิคอนอินเทกรีต โซลูชั่น จํากัด
| ชื่อแบรนด์ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|---|---|
| หมายเลขรุ่น | IS43LD16640A-25BL |
| จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ | 1 |
| ราคา | Based on current price |
| รายละเอียดการบรรจุ | กระเป๋า & กล่องกระดาษกันสแตตติก |
| เวลาการส่งมอบ | 3-5 วันทําการ |
| เงื่อนไขการชำระเงิน | T/T |
| สามารถในการผลิต | ในคลัง |
ติดต่อฉันเพื่อรับตัวอย่างและคูปองฟรี
วอทส์แอพพ์:0086 18588475571
วีแชท: 0086 18588475571
สไกป์: sales10@aixton.com
หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง
xรายละเอียดสินค้า
| ประเภทหน่วยความจำ | ระเหย | รูปแบบหน่วยความจำ | แรม |
|---|---|---|---|
| เทคโนโลย | SDRAM - มือถือ LPDDR2 | ขนาดหน่วยความจำ | 1 กิกะบิต |
| องค์การหน่วยความจำ | 64ม.x16 | อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ | ขนาน |
| ความถี่นาฬิกา | 400 MHz | เขียนรอบเวลา - Word, หน้า | 15 วินาที |
| เข้าถึงเวลา | - | โลเตจ - การให้บริการ | 1.14V ~ 1.95V |
| อุณหภูมิการทํางาน | 0°C ~ 85°C (TA) | ประเภทการติดตั้ง | การติดตั้งพื้นผิว |
| กล่อง / กระเป๋า | 134-TFBGA | แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย | 134-TFBGA (10x11.5) |
คุณสามารถเลือกผลิตภัณฑ์ที่คุณต้องการและสื่อสารกับเราได้ในกระดานข้อความ
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| IS43LD16640C-25BLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32320C-25BLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16640C-25BLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16160B-25BLI | IC DRAM 256MBIT PAR 134TFBGA | |
| IS43LD16320A-25BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 134TFBGA | |
| IS43LD32160A-25BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 134TFBGA | |
| IS43LD16320A-25BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 134TFBGA | |
| IS43LD32160A-25BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 134TFBGA | |
| IS43LD16640C-18BLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16640C-18BLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32320C-25BLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32640B-25BL-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16128B-25BL-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32320C-18BLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32640B-18BL-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32640C-18BLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32640B-25BL | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16128B-18BL-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16128C-18BLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16128B-25BL | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32320C-18BLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32640B-18BL | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32640C-18BLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16128C-18BLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16128B-18BL | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16640A-25BL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16640A-25BLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32320A-25BL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32320A-25BLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16640A-25BLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16640A-25BL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16640A-3BL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16640A-3BLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16640A-3BLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16640A-3BL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32320A-25BLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32320A-25BL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32320A-3BL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32320A-3BLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32320A-3BLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32320A-3BL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS46LD16640A-25BLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS46LD16640A-25BLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS46LD32320A-25BLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS46LD32320A-25BLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS46LD32320A-25BLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS46LD32320A-25BLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS46LD32320A-3BLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS46LD32320A-3BLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16128B-18BLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16128B-18BLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16128B-25BLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16128B-25BLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32640B-18BLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32640B-18BLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32640B-25BLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32640B-25BLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS46LD32640B-18BLA2 | IC DRAM | |
| IS46LD32640B-25BLA2-TR | IC DRAM | |
| IS46LD32640B-18BLA2-TR | IC DRAM | |
| IS46LD32640B-25BLA1 | IC DRAM | |
| IS46LD32640B-25BLA1-TR | IC DRAM | |
| IS46LD32640B-25BLA2 | IC DRAM | |
| IS46LD32640C-18BLA1 | IC DRAM | |
| IS46LD32640C-18BLA2-TR | IC DRAM | |
| IS46LD32640C-18BLA2 | IC DRAM | |
| IS46LD32640C-18BLA1-TR | IC DRAM |
รายละเอียดสินค้า
รายละเอียดสินค้า
ลักษณะ
● ความดันแบบมาตรฐาน: VDD และ VDDQ = 1.5V ± 0.075V● โวลเตจต่ํา (L): VDD และ VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
- ปรับปรุงความเป็นกันได้ในระดับ 1.5V
● อัตราการโอนข้อมูลความเร็วสูง
ความถี่สูงสุด 933 MHz
● 8 ธนาคารภายในสําหรับการทํางานพร้อมกัน
●สถาปัตยกรรม 8n-bit pre-fetch
● ความช้าของ CAS ที่สามารถโปรแกรมได้
● ความช้าเพิ่มเติมที่สามารถเขียนโปรแกรมได้: 0, CL-1, CL-2
● ระยะเวลาการเขียน CAS ที่สามารถเขียนโปรแกรมได้ (CWL) โดยใช้ tCK
● ความ ยาว ของ ระเบิด ที่ สามารถ โปรแกรม ได้ 4 และ 8
● ระดับ การ ระเบิด ที่ สามารถ โปรแกรม ได้: ระดับ หรือ ระยะ
● เปลี่ยน BL ทันที
● อัตโนมัติ อัตโนมัติ อัตโนมัติ
● อุณหภูมิที่ทําให้ตัวเองอ่อนแอ (SRT)
● ระยะเวลาในการอัพเดท:
7.8 us (8192 วงจร/64 ms) Tc= -40°C ถึง 85°C
3.9 us (8192 วงจร/32 ms) Tc= 85°C ถึง 105°C
● ค่า ค่า ค่า ค่า ค่า ค่า ค่า
● ปิน RESET ที่ไม่สมองกัน
● TDQS (Termination Data Strobe) ได้รับการสนับสนุน (เพียง x8)
● OCD (การปรับอาการขัดขวางของไดรเวอร์นอกชิป)
● ODT ดินามิค (On-Die Termination)
● ความแข็งแรงของคนขับ: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 )
● เขียนการจัดระดับ
● ความเร็วสูงสุด 200 MHz ในโหมดปิด DLL
● อุณหภูมิการทํางาน:
การค้า (TC = 0°C ถึง +95°C)
อุตสาหกรรม (TC = -40°C ถึง +95°C)
รถยนต์, A1 (TC = -40 °C ถึง +95 °C)
รถยนต์, A2 (TC = -40°C ถึง +105°C)
รายละเอียด
| คุณสมบัติ | ค่าประกอบ |
|---|---|
| ผู้ผลิต | ISSI |
| ประเภทสินค้า | IC ความจํา |
| ซีรี่ย์ | - |
| ประเภท | DDR1 |
| การบรรจุ | ตู้บรรจุอื่น |
| สไตล์การติดตั้ง | SMD/SMT |
| กล่องกล่อง | 134-TFBGA |
| อุณหภูมิการทํางาน | 0°C ~ 85°C (TA) |
| อินเตอร์เฟซ | คู่เคียง |
| พลังงานไฟฟ้า | 1.14 V ~ 1.95 V |
| กล่องเครื่องมือของผู้จัดส่ง | 134-TFBGA (10x11.5) |
| ความจดจํา | 1G (64M x 16) |
| ประเภทความจํา | โทรศัพท์มือถือ LPDDR2 SDRAM |
| ความเร็ว | 400MHz |
| เวลาการเข้า | 2.5 ns |
| ฟอร์มาต-เมมรี่ | แรม |
| อุณหภูมิการทํางานสูงสุด | + 85 C |
| ระยะอุณหภูมิการทํางาน | 0 C |
| การจัดตั้ง | 64 M x 16 |
| ปัจจุบันที่ให้บริการสูงสุด | 40 mA |
| ความกว้างของบัสข้อมูล | 16 บิต |
| ความดันไฟฟ้าสูงสุด | 1.95 วอลต์ |
| ความแรงดันไฟฟ้า- นาที | 1.7 V |
| กล่องกล่อง | BGA-134 |
| ความถี่ของนาฬิกาสูงสุด | 400 MHz |
คําอธิบาย
SDRAM - แมมโมรี่ LPDDR2 โทรศัพท์มือถือ IC 1Gb (64M x 16) ปานกลาง 400MHz 134-TFBGA (10x11.5)
DRAM 1G 1.2/1.8V 64Mx16 400MHz 134บอล BGA
แนะนำผลิตภัณฑ์
