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IS42S32800J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA ISSI, บริษัท ซิลิคอนอินเทกรีต โซลูชั่น จํากัด

  • IS42S32800J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ชื่อแบรนด์ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
หมายเลขรุ่น IS42S32800J-7BLI
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รายละเอียดสินค้า
ประเภทหน่วยความจำ ระเหย รูปแบบหน่วยความจำ แรม
เทคโนโลย เอสดีแรม ขนาดหน่วยความจำ 256Mbit
องค์การหน่วยความจำ 8ม.x32 อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ ขนาน
ความถี่นาฬิกา 143 เมกะเฮิรตซ์ เขียนรอบเวลา - Word, หน้า -
เข้าถึงเวลา 5.4 น โลเตจ - การให้บริการ 3V ~ 3.6V
อุณหภูมิการทํางาน -40 °C ~ 85 °C (TA) ประเภทการติดตั้ง การติดตั้งพื้นผิว
กล่อง / กระเป๋า 90-TFBGA แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย 90-TFBGA (8x13)
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Part Number Description
IS42S32800J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
IS42S32800J-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
IS42S32160F-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
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IS42SM32800K-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
IS42S32800J-75EBLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
IS45S32200L-7BLA2 IC DRAM 64MBIT PAR 90TFBGA
IS42S32800G-7BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
IS45S32400F-6BLA1-TR IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
IS45S32400F-7BLA1 IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
IS43LR32800G-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
IS42S32400F-6BLI IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
IS43LR32160C-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
IS42S32800G-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
IS42S32800J-75EBLI IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
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IS42S32200C1-7BL-TR IC DRAM 64MBIT PAR 90BGA
IS42S32200C1-7BLI IC DRAM 64MBIT PAR 90BGA
IS42S32200C1-7BLI-TR IC DRAM 64MBIT PAR 90BGA
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IS42S32400B-7B-TR IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
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IS42S32800B-7BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 90LFBGA
IS42S32160A-75BL IC DRAM 512MBIT PAR 90LFBGA
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IS42S32200E-7BL IC DRAM 64MBIT PAR 90TFBGA
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IS42S32200E-6B IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
IS42S32200E-7BLI IC DRAM 64MBIT PAR 90TFBGA
IS45S32400B-7BLA1 IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
IS42S32200E-6BLI IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
IS45S32400B-6BLA1 IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
IS42S32200E-6BI IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
IS42S32160A-75B IC DRAM 512MBIT PAR 90LFBGA
IS42S32800D-7BL IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
IS42S32800D-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
IS42S32800D-7B IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
IS42S32800D-6B IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
IS42S32800D-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
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IS42S32800D-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
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IS42S32800B-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
IS42S32800D-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
IS42S32800D-7BI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
IS42S32800B-6BI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
IS42S32800D-6BI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
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IS45S32400E-7BLA2-TR IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
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IS46LR32160B-6BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
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IS42SM32160E-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
IS42SM32160E-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
IS42SM32400H-75BI IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
IS42SM32400H-75BI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
IS42RM32200K-6BLI IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
IS42RM32200K-6BLI-TR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
IS42RM32400G-6BLI IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
IS42RM32400G-6BLI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
IS42RM32400G-75BI IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
IS42RM32400G-75BI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
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IS42SM32400G-75BI IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
IS42SM32400G-75BI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
IS42SM32800D-75BL IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
IS42SM32800D-75BLI IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
IS42SM32800D-75BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
IS42SM32800D-75BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
IS42VM32400E-75BLI IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
IS42VM32400E-75BLI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
IS42VM32400G-6BL IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
IS42VM32400G-6BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
IS43LR32320B-5BLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90LFBGA
IS43LR32320B-5BL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90LFBGA
IS43LR32320B-5BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90LFBGA
IS43LR32320B-5BLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90LFBGA
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ภาพรวม

ISSIS 64Mb Synchronous DRAM IS42S32200 จัดเป็น 524,288 บิท x 32 บิท x 4 ธนาคารเพื่อการปรับปรุงการทํางานสัญญาณการเข้าและการออกทั้งหมดอ้างอิงขอบขึ้นของการเข้านาฬิกา.

คําอธิบายทั่วไป
SDRAM ขนาด 64Mb เป็นความเร็วสูง CMOS, ความจําการเข้าสุ่มแบบไดนามิคที่ออกแบบให้ทํางานในระบบความจํา 3.3V ที่มี 67108864 บิท มีการตั้งค่าภายในเป็น DRAM 4 ธนาคาร777ธนาคารขนาด 216 บิตจัดเป็น 2,048 แถว โดย 256 คอลัมน์ โดย 32 บิต

ลักษณะ

• ความถี่ของนาฬิกา: 166, 143 MHz
• สมองกันอย่างสมบูรณ์; สัญญาณทั้งหมดอ้างอิงไปยังขอบนาฬิกาบวก
• ธนาคารภายในสําหรับการซ่อนการเข้าถึงแถว / เติมเงินก่อน
• แหล่งพลังงาน 3.3V แบบเดียว
• อินเตอร์เฟซ LVTTL
• ความยาวการกระจายเสียงที่สามารถโปรแกรมได้ (Programmable burst length)
• ระดับการระเบิดที่สามารถโปรแกรมได้: Sequential/Interleave
• รูปแบบอัตโนมัติ
• 4096 จังหวะการอัพเดททุก 64 ms
• ที่อยู่แถวสุ่มในแต่ละวัฏจักรนาฬิกา
• ระยะเวลาปิด CAS ที่สามารถโปรแกรมได้ (2, 3 ชั่วโมง)
• ความสามารถในการอ่าน / เขียนเร่งและการอ่าน / เขียนเร่งเดียว
• การหยุดการระเบิดโดยการหยุดการระเบิดและคําสั่งการชาร์จก่อน
• ความร้อนในอุตสาหกรรม
• แพ็คเกจ 400 มิล 86 ปิน TSOP II

รายละเอียด

คุณสมบัติ ค่าประกอบ
ผู้ผลิต ISSI
ประเภทสินค้า IC ความจํา
ซีรี่ย์ -
การบรรจุ ตู้บรรจุอื่น
กล่องกล่อง 90-TFBGA
อุณหภูมิการทํางาน -40 °C ~ 85 °C (TA)
อินเตอร์เฟซ คู่เคียง
พลังงานไฟฟ้า 3 V ~ 3.6 V
กล่องเครื่องมือของผู้จัดส่ง 90-TFBGA (8x13)
ความจดจํา 256M (8M x 32)
ประเภทความจํา SDRAM
ความเร็ว 143MHz
ฟอร์มาต-เมมรี่ แรม

คําอธิบาย

แมมโมรี่ SDRAM IC 256Mb (8M x 32) ทิศทาง 143MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13)
ชิป DRAM SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90 ปิน TFBGA
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ลูก BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
แท็ก:

IC หน่วยความจำแฟลชที่เสถียร

IC หน่วยความจำแฟลชไม่ลบเลือน

IC หน่วยความจำแฟลช SPI