RC28F320C3TA110 IC FLASH 32MBIT PAR 64EASYBGA อินเทล

คําอธิบายของอุปกรณ์

ส่วนนี้ให้ภาพรวมเกี่ยวกับคุณสมบัติของอุปกรณ์ Intel® Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3), การบรรจุ, การตั้งชื่อสัญญาณ, และสถาปัตยกรรมอุปกรณ์

ภาพรวมสินค้า

อุปกรณ์ C3 ให้การอ่านแบบไม่สมองการทํางานสูงในความหนาแน่นที่สอดคล้องกับแพคเกจด้วยบัสข้อมูล 16 บิท บล็อกความจําที่สามารถลบได้แต่ละชิ้นมีขนาดที่ดีที่สุดสําหรับการเก็บรหัสและข้อมูลบล็อกปารามิเตอร์ 4 Kword จํานวน 8 บล็อก ตั้งอยู่ในบล็อกบูท ณด้านบนหรือด้านล่างของแผนที่ความจําของอุปกรณ์ส่วนที่เหลือของเมมรี่อาร์เร่ถูกจัดเป็น 32 คาวอร์ดหลักบล็อก

ลักษณะสินค้า

■ เทคโนโลยี SmartVoltage ที่ยืดหยุ่น
¥2.7 V¥3.6 V อ่าน/โปรแกรม/ลบ
12V สําหรับโปรแกรมการผลิตอย่างรวดเร็ว
■ 1.65 V/2.5 V หรือ 2.7 V/3.6 V ทางเลือก
ลดพลังงานระบบโดยรวม
■ ผลงานสูง
¥2.7 V ¥3.6 V: 70 ns เวลาเข้าถึงสูงสุด
■ อาร์คิเทคชั่นที่ปรับปรุงให้ดีที่สุดสําหรับ Code Plus Data Storage
8 บล็อก 4 ควอร์ด, ปริมาตรด้านบนหรือด้านล่าง
✅สูงสุด 127 บล็อกควอร์ด 32
✅ความสามารถในการหยุดโปรแกรมอย่างรวดเร็ว
ความสามารถในการยกเลิกการลบอย่างรวดเร็ว
■ การล็อคแบบยืดหยุ่น
✅ล็อค/ปลดล็อคบล็อกใดๆ
✅คุ้มกันเต็มที่เมื่อเปิดไฟ
ปิดปินสําหรับการป้องกันบล็อกฮาร์ดแวร์
■ การใช้พลังงานที่ต่ํา
อัตราการอ่านแบบปกติ 9 mA
✅7 ระบบรอคอยแบบปกติที่มีระบบประหยัดพลังงานอัตโนมัติ (APS)
■ การใช้งานอุณหภูมิที่ขยาย
อุณหภูมิ 40 °C ถึง + 85 °C
■ ลงทะเบียนการคุ้มครอง 128 บิต
อัตราการระบุเครื่องมือเฉพาะ 64 บิต
โปรแกรม OTP เซลล์ที่ใช้ได้ 64 บิต
■ ความสามารถในการขี่จักรยานที่ขยาย
ขั้นต่ํา 100,000 วงจรการลบบล็อก
■ โปรแกรม
อินเทล® แฟลช หน่วยบูรณะข้อมูล (FDI)
รองรับการเก็บข้อมูลบนหรือด้านล่าง Boot Storage, Streaming Data (ตัวอย่างเช่นเสียง)
อินเทล เซตคําสั่งพื้นฐาน
อินเตอร์เฟซฟลัช (CFI)
■ การบรรจุภัณฑ์พื้นผิวแบบมาตรฐาน
✅ 48 ลูก μBGA*/VFBGA
¥64-Ball Easy BGA แพ็คเกจ
✅ 48-Lead แพ็คเกจ TSOP
■ ETOXTM VIII (0.13 μm) เทคโนโลยีฟลัช
₹ 16, 32 Mbit
■ เทคโนโลยี Flash ETOXTM VII (0.18 μm)
¥16, 32, 64 Mbit
■ ETOXTM VI (0.25 μm) เทคโนโลยีฟลัช
¥8, 16 และ 32 Mbit