W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์

ชื่อแบรนด์ Winbond Electronics
หมายเลขรุ่น W631GG8KB-11
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ 1
ราคา Based on current price
รายละเอียดการบรรจุ กระเป๋า & กล่องกระดาษกันสแตตติก
เวลาการส่งมอบ 3-5 วันทําการ
เงื่อนไขการชำระเงิน T/T
สามารถในการผลิต ในคลัง

ติดต่อฉันเพื่อรับตัวอย่างและคูปองฟรี

วอทส์แอพพ์:0086 18588475571

วีแชท: 0086 18588475571

สไกป์: sales10@aixton.com

หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง

x
รายละเอียดสินค้า
ประเภทหน่วยความจำ ระเหย รูปแบบหน่วยความจำ แรม
เทคโนโลย SDRAM - DDR3 ขนาดหน่วยความจำ 1 กิกะบิต
องค์การหน่วยความจำ 128 ม. x 8 อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ ขนาน
ความถี่นาฬิกา 933 เมกะเฮิรตซ์ เขียนรอบเวลา - Word, หน้า -
เข้าถึงเวลา 20 น โลเตจ - การให้บริการ 1.425V~1.575V
อุณหภูมิการทํางาน 0°C ~ 95°C (TC) ประเภทการติดตั้ง การติดตั้งพื้นผิว
กล่อง / กระเป๋า 78-TFBGA แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย 78-WBGA (10.5x8)
คุณสามารถเลือกผลิตภัณฑ์ที่คุณต้องการและสื่อสารกับเราได้ในกระดานข้อความ
Part Number Description
W631GU8NB15I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB15I TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB12I TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB11I TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB11I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8NB09I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB09I TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB15I IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB15I IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB12I IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB12I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GU8NB11I IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB11I IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB09I IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB09I IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB12I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8NB-15 TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB-15 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8NB-12 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8NB-12 TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB-11 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB-11 TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB-09 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB-09 TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB-15 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB-15 IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8NB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8NB-12 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB-11 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB-09 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB-09 IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB-15 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB-15 TR IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W632GU8NB-12 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GG8NB-12 TR IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W632GU8NB-11 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB-11 TR IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W632GU8NB-09 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB-09 TR IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W632GU8NB15I TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB15I TR IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W632GG8NB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB12I TR IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W632GU8NB12I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GG8NB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GU8NB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GG8NB11I TR IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W632GU8NB11I TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB09I TR IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W632GU8NB09I TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB-09 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB-09 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB15I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB15I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GU8NB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GG8NB11I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB11I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB09I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB09I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GG8KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GG8KB-15 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GG8KB15I IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GG8KB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB15I IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GU8KB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GU8KB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GU8KB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GU8KB15I IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W631GG8KB12I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GU8KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GU8KB12I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GU8KB-15 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GU8KB15I IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GG8KB-11 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GG8KB-12 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GG8KB12I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GG8KB-15 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GG8KB15I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GU8KB-12 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GU8KB12I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GU8KB-15 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GU8KB15I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB-11 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB-12 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GG8KB12I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GG8KB-15 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB15I TR IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GU8KB-12 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GU8KB12I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GU8KB-15 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GU8KB15I TR IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GG8MB-11 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB-12 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GG8MB12I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GG8MB-15 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB15I TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB-12 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GU8MB12I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GU8MB-15 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB15I TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB-09 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GG8MB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GG8MB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB15I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GU8MB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GU8MB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB15I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8AB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GG8AB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GG8AB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB-09 IC DRAM 2GBIT PAR 1066MHZ 78WBGA
W632GU8KT-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8MB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8MB-11 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8MB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8MB-12 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8MB-15 IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8MB-15 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8MB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GU8MB-12 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GU8MB-15 IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8MB-15 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8KB11I IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GU8MB11I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8MB12I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8MB12I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8MB15I IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8MB15I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8MB11I IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8MB12I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GU8MB12I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GU8MB15I IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8MB15I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB11J IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB12J IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GU8MB-09 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB11I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB11I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB09I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB09I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB11J IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB12J IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GU8MB-11 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB-09 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8MB-09 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB11J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB09J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB15J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB11I TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB15J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB11J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB09I TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB12J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB12J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB09J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB09J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB11J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB09I IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB15J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB12J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB09J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB11J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB11I IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB12J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB15J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
ฝากข้อความ
Part Number Description
รายละเอียดสินค้า

รายละเอียดสินค้า

คําอธิบายทั่วไป

W631GG6KB เป็น 1G บิต DDR3 SDRAM จัดเป็น 8,388,608 คํา x 8 ธนาคาร x 16 บิต อุปกรณ์นี้บรรลุอัตราการโอนความเร็วสูงถึง 1866 Mb / sec / pin (DDR3-1866) สําหรับการใช้งานต่าง ๆ W631GG6KB ถูกจัดเรียงเป็นเกรดความเร็วดังต่อไปนี้: -11,- 12, 12I, 12A, 12K -15, 15I, 15A และ 15K ระดับความเร็ว -11 เป็นที่สอดคล้องกับ DDR3-1866 (13-13-13) รายละเอียดระดับความเร็ว 12A และ 12K ตรงกับรายละเอียด DDR3-1600 (11-11-11) (ระดับอุตสาหกรรม 12I ที่รับประกันการรองรับ -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C). ระดับความเร็ว -15, 15I, 15A และ 15K ตรงกับรายละเอียด DDR3-1333 (9-9-9) (ระดับอุตสาหกรรม 15I ที่รับประกันการสนับสนุน -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C)

ลักษณะ

√ พลังงานไฟฟ้า: VDD, VDDQ = 1.5V ± 0.075V
อาร์คิเทคเตอร์อัตราการแลกเปลี่ยนข้อมูลสองครั้ง: การโอนข้อมูลสองครั้งต่อวาระ
8 ธนาคารภายในสําหรับการดําเนินงานพร้อมกัน
อาร์คิเทคชัน prefetch 8 บิต
✅ CAS Latency: 6, 7, 8, 9, 10, 11 และ 13
โหมดความยาว 8 (BL8) และ 4 (BC4): ติดตั้งผ่านเรจิสเตอร์โหมด (MRS) หรือเลือกได้บนเครื่องบิน (OTF
✓ การจัดเรียงการอ่านที่สามารถโปรแกรมได้: ติดต่อกัน
✓ สตรอบข้อมูลแบบแยกทางสองทาง (DQS และ DQS#)
ขอบตรงกับข้อมูลการอ่าน และศูนย์ตรงกับข้อมูลการเขียน
DLL สอดคล้องการเปลี่ยน DQ และ DQS กับนาฬิกา
อินทุตนาฬิกาความแตกต่าง (CK และ CK#)
✓ คําสั่งที่ใส่ในแต่ละขอบบวก CK, ข้อมูลและหน้ากากข้อมูลถูกอ้างอิงไปยังทั้งสองขอบของคู่สตร็อบข้อมูลความแตกต่าง (อัตราการส่งข้อมูลสองเท่า)
✅ โพสต์ CAS ด้วยความช้าเพิ่มที่สามารถเขียนโปรแกรมได้ (AL = 0, CL - 1 และ CL - 2) เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพการสั่งการ, ที่อยู่และบัสข้อมูล
อ่านความช้า = ความช้าเพิ่มบวก CAS ความช้า (RL = AL + CL)
การทํางานของอัตโนมัติการชาร์จก่อนสําหรับการอ่านและการเขียน
อัพเดทใหม่, อัตโนมัติ, อัตโนมัติ (ASR) และ อัตโนมัติเรียงส่วนหนึ่ง (PASR)
✅ ปิดการใช้ไฟฟ้าแบบชาร์จก่อน และ ปิดการใช้ไฟฟ้าแบบทํางาน

รายละเอียด

คุณสมบัติ ค่าประกอบ
ผู้ผลิต วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์
ประเภทสินค้า IC ความจํา
ซีรี่ย์ -
การบรรจุ ตู้บรรจุอื่น
กล่องกล่อง 78-TFBGA
อุณหภูมิการทํางาน 0°C ~ 95°C (TC)
อินเตอร์เฟซ คู่เคียง
พลังงานไฟฟ้า 1.425 V ~ 1.575 V
กล่องเครื่องมือของผู้จัดส่ง 78-WBGA (10.5x8)
ความจดจํา 1G (128M x 8)
ประเภทความจํา DDR3 SDRAM
ความเร็ว 933MHz
ฟอร์มาต-เมมรี่ แรม

คําอธิบาย

SDRAM - DDR3 Memory IC 1Gb (128M x 8) ปานกลาง 933MHz 20ns 78-WBGA (10.5x8)
ชิป DRAM DDR3 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.5V 78 พิน WBGA