ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
IS43DR16640C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA ISSI, บริษัท ซิลิคอนอินเทกรีต โซลูชั่น จํากัด

ติดต่อฉันเพื่อรับตัวอย่างและคูปองฟรี
วอทส์แอพพ์:0086 18588475571
วีแชท: 0086 18588475571
สไกป์: sales10@aixton.com
หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง
xรายละเอียดสินค้า
ประเภทหน่วยความจำ | ระเหย | รูปแบบหน่วยความจำ | แรม |
---|---|---|---|
เทคโนโลย | SDRAM - DDR2 | ขนาดหน่วยความจำ | 1 กิกะบิต |
องค์การหน่วยความจำ | 64ม.x16 | อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ | ขนาน |
ความถี่นาฬิกา | 400 MHz | เขียนรอบเวลา - Word, หน้า | 15 วินาที |
เข้าถึงเวลา | 400 PS | โลเตจ - การให้บริการ | 1.7V ~ 1.9V |
อุณหภูมิการทํางาน | 0°C ~ 85°C (ทีซี) | ประเภทการติดตั้ง | การติดตั้งพื้นผิว |
กล่อง / กระเป๋า | 84-TFBGA | แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย | 84-TWBGA (8x12.5) |
คุณสามารถเลือกผลิตภัณฑ์ที่คุณต้องการและสื่อสารกับเราได้ในกระดานข้อความ
Part Number | Description | |
---|---|---|
IS43DR16320E-25DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640C-25DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640C-3DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640C-25DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16128C-25DBLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640C-3DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16160B-37CBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320E-3DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-37CBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-3DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640B-3DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16320E-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16128C-25DBL | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640B-3DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16128C-3DBL | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16160B-25DBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-3DBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-25DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-3DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-25DBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-3DBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-37CBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-25DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-3DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-3DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-25DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-25DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-3DBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-37CBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-25DBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320E-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640B-3DBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320E-25DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320E-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-3DBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320E-3DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-25DBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640C-3DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320E-25DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320E-25DBLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320E-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16160B-3DBLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640C-25DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320E-3DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320E-3DBLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16160B-25DBLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640C-3DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16640C-25DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16320C-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320E-25DBLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16160B-3DBLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320D-3DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320E-3DBLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640C-3DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320D-3DBLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16160B-25DBLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640C-3DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320D-25DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640C-25DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16160B-3DBLA2-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640C-25DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16320C-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640B-3DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320D-3DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16160B-25DBLA2-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640C-3DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16128C-3DBL-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320D-25DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320D-3DBLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320C-3DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16160B-3DBLA2 | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640C-25DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320C-25DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16160B-25DBLA2 | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320D-25DBLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320C-3DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640B-3DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320C-25DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640B-25DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320D-25DBLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640B-3DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320C-3DBLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640B-25DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320C-3DBLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640B-3DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16640B-25DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16640B-3DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16640B-25DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16128C-3DBLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16128C-25DBLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16128C-3DBLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16128C-3DBLA1-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16128C-3DBLA1 | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16128C-3DBLA2-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16128C-3DBLA2 | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16160A-37CBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-37CBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640A-3DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16160A-25EBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-25EBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-25EBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-25EBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-37CBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-37CBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-3DBI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-3DBI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-3DBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-3DBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-3DBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-3DBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-5BBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-5BBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-25DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-25DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-3DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-3DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640B-3DBI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640B-3DBI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16640B-25EBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16640B-25EBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16320D-25DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-25DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-3DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-3DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640C-3DBI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640C-3DBI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16160B-3DBI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640B-25EBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640B-25EBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16160B-3DBI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640B-25EBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640B-25EBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320D-25DBA2 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320C-3DBA2 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320D-3DBA2 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640B-25DBI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA |
รายละเอียดสินค้า
รายละเอียดสินค้า
ลักษณะ
• โลตติจ์มาตรฐาน: VDD และ VDDQ = 1.5V ± 0.075V• โวลเตจต่ํา (L): VDD และ VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
- ปรับปรุงความเป็นกันได้ในระดับ 1.5V
• อัตราการถ่ายทอดข้อมูลความเร็วสูง กับความถี่ของระบบถึง 933 MHz
• 8 ธนาคารภายในสําหรับการทํางานพร้อมกัน
•สถาปัตยกรรม 8n-Bit
• ความช้าของ CAS ที่สามารถโปรแกรมได้
• โปรแกรมการเพิ่มความช้า: 0, CL-1, CL-2
• ช่วงเวลารอเขียน CAS ที่สามารถเขียนโปรแกรมได้ (CWL) โดยใช้ tCK
• ความยาวการระเบิดที่สามารถเขียนโปรแกรมได้: 4 และ 8
• ระดับการกระจายเสียงที่สามารถโปรแกรมได้: ระดับต่อเนื่องหรือ Interleave
• เปลี่ยน BL ในขณะที่บิน
• อัตโนมัติ อัตโนมัติ (ASR)
• อุณหภูมิที่ทําให้ตัวเองอิ่ม (SRT)
• ระยะเวลาในการอัพเดท:
7.8 us (8192 วงจร/64 ms) Tc= -40°C ถึง 85°C
3.9 us (8192 วงจร/32 ms) Tc= 85°C ถึง 105°C
• การ อ่อนนวล ตัว เอง
• ปิน RESET ที่ไม่สมอง
• รองรับ TDQS (Termination Data Strobe) (เพียง x8)
• OCD (การปรับอาการขัดขวางของไดรเวอร์นอกชิป)
• ODT ดินามิค (On-Die Termination)
• ความแรงของไดรเวอร์: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• เขียนการจัดระดับ
• สูงสุด 200 MHz ในโหมดปิด DLL
• อุณหภูมิการทํางาน:
การค้า (TC = 0°C ถึง +95°C)
อุตสาหกรรม (TC = -40°C ถึง +95°C)
รถยนต์, A1 (TC = -40 °C ถึง +95 °C)
รถยนต์, A2 (TC = -40°C ถึง +105°C)
รายละเอียด
คุณสมบัติ | ค่าประกอบ |
---|---|
ผู้ผลิต | ISSI |
ประเภทสินค้า | IC ความจํา |
ผู้ผลิต | ISSI |
ประเภทสินค้า | DRAM |
RoHS | รายละเอียด |
ยี่ห้อ | ISSI |
ส่วนผู้ผลิต | คําอธิบาย | ผู้ผลิต | เทียบ |
MT47H64M16NF-25E:M ความจํา |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, สอดคล้องกับ ROHS, FBGA-84 | บริษัทไมครอน เทคโนโลยี | IS43DR16640C-25DBL VS MT47H64M16NF-25E:M |
MT47H64M16NF-25EIT:M ความจํา |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, สอดคล้องกับ ROHS, FBGA-84 | บริษัทไมครอน เทคโนโลยี | IS43DR16640C-25DBL VS MT47H64M16NF-25EIT:M |
IS43DR16640C-25DBLA2 ความจํา |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, lead free, TWBGA-84 | บริษัท ซิลิคอนโซลูชั่นอินเทกรีท | IS43DR16640C-25DBL VS IS43DR16640C-25DBLA2 |
IS43DR16640C-25DBLA1 ความจํา |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, lead free, TWBGA-84 | บริษัท ซิลิคอนโซลูชั่นอินเทกรีท | IS43DR16640C-25DBL VS IS43DR16640C-25DBLA1 |
คําอธิบาย
SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (64M x 16) ทิศทาง 400MHz 400ns 84-TWBGA (8x12.5)
ชิป DRAM DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84 พิน TW-BGA
DRAM DDR2,1G1.8V RoHs 400MHz 64Mx16
แนะนำผลิตภัณฑ์