CY14B101LA-SP45XI IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP เทคโนโลยี Infineon

คําอธิบายทางการทํางาน

Cypress CY14B101LA/CY14B101NA เป็น RAM สถานที่เร็ว (SRAM) ที่มีองค์ประกอบที่ไม่ลุกตัวในแต่ละเซลล์ความจํา ความจําจัดเป็น 128 K ไบท์ของ 8 บิตแต่ละตัว หรือ 64 K คําของ 16 บิตแต่ละตัวองค์ประกอบที่ไม่ลุกลุกที่ติดตั้ง มีเทคโนโลยี QuantumTrap, ผลิตความจําที่ไม่ลุกลุกที่น่าเชื่อถือที่สุดในโลก. SRAM ให้วงจรอ่านและเขียนที่ไม่สิ้นเชิง, ขณะที่ข้อมูลที่ไม่ลุกลุกเป็นอิสระอยู่ในเซลล์ QuantumTrap ที่น่าเชื่อถือสูง.การถ่ายทอดข้อมูลจาก SRAM ไปยังองค์ประกอบที่ไม่ลุกลุก (การทํางาน STORE) จะเกิดขึ้นโดยอัตโนมัติเมื่อการปิดไฟ. เมื่อเปิดไฟ, ข้อมูลจะถูกฟื้นฟูไปยัง SRAM (การดําเนินงาน RECALL) จากความจําที่ไม่ลุกลุก ทั้งการดําเนินงาน STORE และ RECALL ก็มีอยู่ภายใต้การควบคุมของซอฟต์แวร์

ลักษณะ

■ เวลาการเข้าถึง 20 ns, 25 ns และ 45 ns
■ จัดภายในเป็น 128 K × 8 (CY14B101LA) หรือ 64 K × 16 (CY14B101NA)
■ ปิดมือ STORE อัตโนมัติเมื่อปิดไฟด้วยตัวประกอบขนาดเล็กเท่านั้น
■ STORE to QuantumTrap อุปกรณ์ที่ไม่ลุกลุกที่เริ่มโดยโปรแกรม, ปินของอุปกรณ์, หรือ AutoStore เมื่อปิดไฟ
■ RECALL to SRAM เริ่มโดยโปรแกรมหรือการเปิดตัว
■ อ่าน, เขียน และ RECALL วงจรไม่สิ้นสุด
■ 1 ล้านรอบ STORE ไปยัง QuantumTrap
■ การเก็บข้อมูล 20 ปี
■ การทํางานแบบเดียว 3 V +20% ถึง -10%
■ อุตสาหกรรมอุณหภูมิ
■ แพ็คเกจ
✅วงจรบูรณาการขนาดเล็ก 32 ปิน (SOIC)
✅ 44-/54-Pin แพ็คเกจขนาดเล็ก (TSOP II)
✅ 48 ปินสับสับตัวเล็ก (SSOP)
✅ 48 ลูก ระบบกรีดลูกบอลขนาดละเอียด (FBGA)
■ ปลอด Pb และมีความจํากัดของสารอันตราย (RoHS)