MT29F128G08AUCBBH3-12:B IC FLASH 128GBIT PAR 100LBGA Micron Technology Inc

คําอธิบายทั่วไป

อุปกรณ์ Micron NAND Flash ประกอบด้วยอินเตอร์เฟซข้อมูลที่ไม่สมองสําหรับการทํางาน I/O ที่มีประสิทธิภาพสูง อุปกรณ์เหล่านี้ใช้บัส 8 บิท (DQx) ที่มีความหลากหลายสูงในการถ่ายทอดคําสั่ง, ที่อยู่ และข้อมูลมีสัญญาณการควบคุมห้าตัวที่ใช้ในการดําเนินการ asyn chronous วงจรข้อมูล: CE#, CLE, ALE, WE#, และ RE# สัญญาณเพิ่มเติมควบคุมการป้องกันการเขียนของฮาร์ดแวร์ (WP#) และติดตามสถานะของอุปกรณ์ (R / B#)

ลักษณะ

• Open NAND Flash Interface (ONFI) สอดคล้องกับ 2.2
• เทคโนโลยีเซลล์หลายระดับ (MLC)
• การจัดตั้ง
ขนาดหน้า x8: 8640 ไบท์ (8192 + 448 ไบท์)
ขนาดบล็อก: 256 หน้า (2048K + 112K ไบท์)
ขนาดเครื่องบิน: 2 เครื่อง x 2048 บล็อกต่อเครื่อง
ขนาดของอุปกรณ์: 64Gb: 4096 บล็อก
128Gb: 8192 บล็อก
256Gb: 16,384 บล็อก
512Gb: 32,786 บล็อก
• การทํางาน I/O ที่พร้อมกัน
✅ ผ่านไปถึงสภาพการกําหนดเวลาแบบซินโครน 5
อัตราเวลา: 10 ns (DDR)
อัตราการอ่าน/เขียนต่อปิน: 200 MT/s
• การทํางาน I/O แบบไม่สมอง
ปรับปรุงการใช้งาน
รางวัล
tRC/tWC: 20ns (MIN)
• การทํางานของเรียง
อ่านหน้า: 50μs (MAX)
หน้าโปรแกรม: 1300μs (TYP)
โบล็อกลบ: 3ms (TYP)
• ระยะความดันการทํางาน
VCC: 2.7V 3.6V
VCCQ: 1.7V 1.95V 2.7V 3.6V
• กําหนดการสั่งการ: ONFI NAND Flash Protocol
• ชุดคําสั่งระดับสูง
โปรแกรมแคช
อ่าน cache ตามลําดับ
อ่านแคชแบบสุ่ม
โหมดโปรแกรมได้เพียงครั้งเดียว (OTP)
✓ คําสั่งหลายระนาบ
✅ การดําเนินงานหลาย LUN
อ่านไอดีเฉพาะ
รางวัล
• แบล็อกแรก (ที่อยู่ของบล็อก 00h) มีผลเมื่อส่ง
จากโรงงาน สําหรับ ECC ขั้นต่ําที่จําเป็น ดู
การจัดการความผิดพลาด (หน้า 109)
• RESET (FFh) จําเป็นเป็นคําสั่งแรกหลังจากเปิด
ใน
• ไบท์สถานะการทํางานให้วิธีโปรแกรมสําหรับ
การตรวจสอบ
✅ การดําเนินการเสร็จสิ้น
สภาพผ่าน/ล้มเหลว
สถานะป้องกันการเขียน
• สัญญาณ DQS ให้วิธีการของฮาร์ดแวร์
สําหรับการร่วมกัน DQ ข้อมูลใน
อินเตอร์เฟซ
• รับรองการทําสําเนาในเครื่องบิน
จากที่ข้อมูลถูกอ่าน
• คุณภาพและความน่าเชื่อถือ
การเก็บข้อมูล: 10 ปี
ความทนทาน: 5000 วงจรโปรแกรม/ลบ
• อุณหภูมิการทํางาน:
✓ การค้า: 0 °C ถึง +70 °C
อุตสาหกรรม (IT): ¥40oC ถึง +85oC
• แพ็คเกจ
✅ LGA ขนาด 52 แพด
✅ 48 ปิน TSOP
บีจีเอ 100 ลูก