ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
IS43DR81280C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA ISSI, บริษัท ซิลิคอนอินเทกรีต โซลูชั่น จํากัด
| ชื่อแบรนด์ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|---|---|
| หมายเลขรุ่น | IS43DR81280C-25DBL |
| จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ | 1 |
| ราคา | Based on current price |
| รายละเอียดการบรรจุ | กระเป๋า & กล่องกระดาษกันสแตตติก |
| เวลาการส่งมอบ | 3-5 วันทําการ |
| เงื่อนไขการชำระเงิน | T/T |
| สามารถในการผลิต | ในคลัง |
ติดต่อฉันเพื่อรับตัวอย่างและคูปองฟรี
วอทส์แอพพ์:0086 18588475571
วีแชท: 0086 18588475571
สไกป์: sales10@aixton.com
หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง
xรายละเอียดสินค้า
| ประเภทหน่วยความจำ | ระเหย | รูปแบบหน่วยความจำ | แรม |
|---|---|---|---|
| เทคโนโลย | SDRAM - DDR2 | ขนาดหน่วยความจำ | 1 กิกะบิต |
| องค์การหน่วยความจำ | 128 ม. x 8 | อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ | ขนาน |
| ความถี่นาฬิกา | 400 MHz | เขียนรอบเวลา - Word, หน้า | 15 วินาที |
| เข้าถึงเวลา | 400 PS | โลเตจ - การให้บริการ | 1.7V ~ 1.9V |
| อุณหภูมิการทํางาน | 0°C ~ 85°C (ทีซี) | ประเภทการติดตั้ง | การติดตั้งพื้นผิว |
| กล่อง / กระเป๋า | 60-TFBGA | แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย | 60-TWBGA (8x10.5) |
คุณสามารถเลือกผลิตภัณฑ์ที่คุณต้องการและสื่อสารกับเราได้ในกระดานข้อความ
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| IS43DR86400E-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
| IS43DR82560C-25DBLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43DR86400E-25DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
| IS43DR82560C-25DBL | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43DR81280C-25DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43DR81280C-3DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43DR81280C-25DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43DR82560C-3DBL | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43DR86400E-3DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
| IS43DR81280C-3DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43DR86400C-3DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
| IS43DR86400C-3DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
| IS43DR81280B-25DBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43DR81280B-3DBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43DR86400E-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
| IS43DR86400E-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
| IS43DR81280B-25DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43DR81280B-3DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43DR81280C-3DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43DR81280C-25DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43DR86400D-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
| IS43DR86400C-25DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
| IS43DR86400E-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
| IS43DR86400D-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
| IS43DR86400C-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
| IS43DR86400D-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
| IS43DR86400D-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
| IS43DR86400C-25DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
| IS43DR86400C-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
| IS43DR86400C-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
| IS43DR81280B-3DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43DR86400C-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
| IS43DR81280B-25DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43DR81280B-3DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43DR81280B-25DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43LR16640A-6BL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43LR16640A-6BL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43LR16640A-5BL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43LR16640A-5BL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43LR16640A-6BLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43LR16640A-6BLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43LR16640A-5BLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43LR16640A-5BLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43DR82560C-3DBLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43DR82560C-3DBLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43DR82560C-25DBLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43DR86400C-3DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
| IS43DR86400C-3DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
| IS43DR86400D-3DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
| IS43DR86400D-3DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
| IS43DR81280B-25EBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43DR81280B-25EBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43DR81280B-3DBI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43DR81280C-3DBI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS46DR81280B-25DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS46DR81280B-25DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS46DR81280B-3DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS46DR81280B-3DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS46DR81280C-25DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS46DR81280C-25DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS46DR81280C-3DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS46DR81280C-3DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43DR81280B-25EBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43DR81280B-25EBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43DR81280B-3DBI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43DR81280C-3DBI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS46DR81280B-25DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS46DR81280B-25DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS46DR81280B-3DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS46DR81280B-3DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS46DR81280C-25DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS46DR81280C-25DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS46DR81280C-3DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS46DR81280C-3DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
| IS43DR86400C-25DBI | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA |
รายละเอียดสินค้า
รายละเอียดสินค้า
ลักษณะ
● ความดันแบบมาตรฐาน: VDD และ VDDQ = 1.5V ± 0.075V● โวลเตจต่ํา (L): VDD และ VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
- ปรับปรุงความเป็นกันได้ในระดับ 1.5V
● อัตราการโอนข้อมูลความเร็วสูง
ความถี่สูงสุด 933 MHz
● 8 ธนาคารภายในสําหรับการทํางานพร้อมกัน
●สถาปัตยกรรม 8n-bit pre-fetch
● ความช้าของ CAS ที่สามารถโปรแกรมได้
● ความช้าเพิ่มเติมที่สามารถเขียนโปรแกรมได้: 0, CL-1, CL-2
● ระยะเวลาการเขียน CAS ที่สามารถเขียนโปรแกรมได้ (CWL) โดยใช้ tCK
● ความ ยาว ของ ระเบิด ที่ สามารถ โปรแกรม ได้ 4 และ 8
● ระดับ การ ระเบิด ที่ สามารถ โปรแกรม ได้: ระดับ หรือ ระยะ
● เปลี่ยน BL ทันที
● อัตโนมัติ อัตโนมัติ อัตโนมัติ
● อุณหภูมิที่ทําให้ตัวเองอ่อนแอ (SRT)
● ระยะเวลาในการอัพเดท:
7.8 us (8192 วงจร/64 ms) Tc= -40°C ถึง 85°C
3.9 us (8192 วงจร/32 ms) Tc= 85°C ถึง 105°C
● ค่า ค่า ค่า ค่า ค่า ค่า ค่า
● ปิน RESET ที่ไม่สมองกัน
● TDQS (Termination Data Strobe) ได้รับการสนับสนุน (เพียง x8)
● OCD (การปรับอาการขัดขวางของไดรเวอร์นอกชิป)
● ODT ดินามิค (On-Die Termination)
● ความแข็งแรงของคนขับ: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 )
● เขียนการจัดระดับ
● ความเร็วสูงสุด 200 MHz ในโหมดปิด DLL
● อุณหภูมิการทํางาน:
การค้า (TC = 0°C ถึง +95°C)
อุตสาหกรรม (TC = -40°C ถึง +95°C)
รถยนต์, A1 (TC = -40 °C ถึง +95 °C)
รถยนต์, A2 (TC = -40°C ถึง +105°C)
รายละเอียด
| คุณสมบัติ | ค่าประกอบ |
|---|---|
| ผู้ผลิต | ISSI |
| ประเภทสินค้า | IC ความจํา |
| ผู้ผลิต | ISSI |
| ประเภทสินค้า | DRAM |
| RoHS | รายละเอียด |
| ยี่ห้อ | ISSI |
คําอธิบาย
SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (128M x 8) ปานกลาง 400MHz 400ps 60-TWBGA (8x10.5)
ชิป DRAM DDR2 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.8V 60-pin TW-BGA
DRAM DDR2,1G1.8V RoHs 400MHz 128Mx8
แนะนำผลิตภัณฑ์
