ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
DS1245AB-70+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrated สาธารณรัฐ
| ชื่อแบรนด์ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
|---|---|
| หมายเลขรุ่น | DS1245AB-70+ |
| จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ | 1 |
| ราคา | Based on current price |
| รายละเอียดการบรรจุ | กระเป๋า & กล่องกระดาษกันสแตตติก |
| เวลาการส่งมอบ | 3-5 วันทําการ |
| เงื่อนไขการชำระเงิน | T/T |
| สามารถในการผลิต | ในคลัง |
ติดต่อฉันเพื่อรับตัวอย่างและคูปองฟรี
วอทส์แอพพ์:0086 18588475571
วีแชท: 0086 18588475571
สไกป์: sales10@aixton.com
หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง
xรายละเอียดสินค้า
| ประเภทหน่วยความจำ | ไม่ลบเลือน | รูปแบบหน่วยความจำ | เอ็นวีเอสแรม |
|---|---|---|---|
| เทคโนโลย | NVSRAM (SRAM ไม่ลบเลือน) | ขนาดหน่วยความจำ | 1Mbit |
| องค์การหน่วยความจำ | 128K x 8 | อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ | ขนาน |
| ความถี่นาฬิกา | - | เขียนรอบเวลา - Word, หน้า | 70ns |
| เข้าถึงเวลา | 70 น | โลเตจ - การให้บริการ | 4.75V~5.25V |
| อุณหภูมิการทํางาน | 0°C ~ 70°C (TA) | ประเภทการติดตั้ง | ผ่านหลุม |
| กล่อง / กระเป๋า | โมดูล 32-DIP (0.600", 15.24 มม.) | แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย | 32-EDIP |
คุณสามารถเลือกผลิตภัณฑ์ที่คุณต้องการและสื่อสารกับเราได้ในกระดานข้อความ
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| DS1245AB-70+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-100+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-70IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-70+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249AB-70# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250Y-70+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250Y-70IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245W-150+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-120+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245W-100+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-100+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-120+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-120IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249Y-70# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249Y-85IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250Y-100+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249Y-100# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250AB-70+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-85+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-70IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-85+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245W-100IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-120IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249Y-70IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249AB-70IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250W-100+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250W-100IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250AB-70IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250AB-100IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250Y-100IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-70IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250Y-100 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249Y-70 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-120 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-100 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-120 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-100 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245W-150 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-70 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-85 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-85 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-70 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245W-100 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-120IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-120IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-70IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249W-150 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249Y-100 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249AB-100 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249AB-70 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249W-100 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249AB-85 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249Y-85 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249Y-70IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249AB-70IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249Y-85IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249AB-85IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250AB-100 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250W-150 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250AB-70 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250W-100 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250Y-70 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250Y-70IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250AB-70IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245W-100IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249W-100IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250AB-100IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250W-100IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250Y-100IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250W-150+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249W-100IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249W-100# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249Y-85# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP |
รายละเอียดสินค้า
รายละเอียดสินค้า
คําอธิบาย
DS1245 1024k Nonvolatile SRAMs คือ048,576 บิท, SRAMs สถานที่เต็มที่, ไม่ลุกลุก จัดเป็น 131,072 คําโดย 8 บิททุก NV SRAM ครบถ้วนมีแหล่งพลังงานลิทธิียมและวงจรควบคุมที่ครอบคลุมตัวเองที่ติดตาม VCC อยู่ตลอดเวลาเพื่อสถานการณ์ที่เกินความยอมรับเมื่อสถานการณ์ดังกล่าวเกิดขึ้น แหล่งพลังงานลิเดียมจะเปิดโดยอัตโนมัติ และการป้องกันการเขียนจะเปิดโดยไม่จํากัดเพื่อป้องกันการบกพร่องของข้อมูลอุปกรณ์ DS1245 กล่อง DIP สามารถใช้แทน RAM สแตตติก 128k x 8 ที่มีอยู่ โดยตรงที่สอดคล้องกับมาตรฐาน DIP ขนาด 32 ปินที่นิยมอุปกรณ์ DS1245 ในแพคเกจ PowerCap Module สามารถติดตั้งบนพื้นผิวโดยตรง และปกติจะผสมคู่กับ DS9034PC PowerCap เพื่อสร้างโมดูล SRAM ที่ไม่ลุกล้าสมบูรณ์ไม่มีข้อจํากัดจํานวนของวงจรการเขียนที่สามารถดําเนินการและไม่มีวงจรการสนับสนุนเพิ่มเติมที่จําเป็นสําหรับการเชื่อมต่อไมโครโปรเซสเซอร์.
ลักษณะ
■ ขั้นต่ํา 10 ปี การเก็บข้อมูล โดยไม่มีพลังงานภายนอก■ การป้องกันข้อมูลโดยอัตโนมัติ
■ เปลี่ยน RAM สแตตติก 128k x 8 ที่ลุกไหล, EEPROM หรือ Flash
■ อัตราการเขียนไม่จํากัด
■ CMOS ที่ใช้พลังงานน้อย
■ อ่านและเขียนเวลาเข้าถึง 70 ns
■ แหล่งพลังงานลิทธิียมถูกตัดไฟฟ้าเพื่อรักษาความสดชื่นจนถึงการใช้พลังงานครั้งแรก
■ ระยะการทํางาน VCC ± 10% เต็ม (DS1245Y)
■ ปรับปรุงความสามารถในการใช้งาน
■ ระยะอุตสาหกรรมอุณหภูมิที่เลือกได้ -40°C ถึง +85°C
■ JEDEC แพคเกจ DIP มาตรฐาน 32 ปิน
■ แพคเกจ PowerCap Module (PCM)
- โมดูลติดตั้งตรงบนพื้น
- แพวเวอร์แคปป์ที่เปลี่ยนได้
- ปินออทแบบมาตรฐานสําหรับผลิตภัณฑ์ SRAM ที่ไม่ลุกล้า
#NAME?
รายละเอียด
| คุณสมบัติ | ค่าประกอบ |
|---|---|
| ผู้ผลิต | แม็กซิมอินเทกรีท |
| ประเภทสินค้า | IC ความจํา |
| ซีรี่ย์ | DS1245AB |
| การบรรจุ | ท่อ |
| สไตล์การติดตั้ง | ผ่านหลุม |
| กล่องกล่อง | โมดูล 32-DIP (0.600" 15.24 มม.) |
| อุณหภูมิการทํางาน | 0°C ~ 70°C (TA) |
| อินเตอร์เฟซ | คู่เคียง |
| พลังงานไฟฟ้า | 4.75 V ~ 5.25 V |
| กล่องเครื่องมือของผู้จัดส่ง | 32- EDIP |
| ความจดจํา | 1M (128K x 8) |
| ประเภทความจํา | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| ความเร็ว | 70 น |
| เวลาการเข้า | 70 ns |
| ฟอร์มาต-เมมรี่ | แรม |
| อุณหภูมิการทํางานสูงสุด | + 70 C |
| ระยะอุณหภูมิการทํางาน | 0 C |
| ปัจจุบันการทํางาน | 85 mA |
| ประเภทอินเตอร์เฟซ | คู่เคียง |
| การจัดตั้ง | 128 k x 8 |
| ส่วน#-ชื่อเล่น | 90-1245A+B70 DS1245AB |
| ความกว้างของบัสข้อมูล | 8 บิต |
| ความดันไฟฟ้าสูงสุด | 5.25 วอลต์ |
| ความแรงดันไฟฟ้า- นาที | 4.75 วอลต์ |
| กล่องกล่อง | EDIP-32 |
| ส่วนผู้ผลิต | คําอธิบาย | ผู้ผลิต | เทียบ |
| DS1245Y-70+ ความจํา |
โมดูล SRAM ที่ไม่ลุกลุก 128KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, RoHS COMPLIT, DIP-32 | สินค้าบูรณาการ Maxim | DS1245AB-70+ VS DS1245Y-70+ |
| DS1245AB-70IND ความจํา |
128KX8 โมดูล SRAM ที่ไม่ลุกลุก 70ns DMA32 0.740 Inch โมดูลขยาย DIP-32 | บริษัท โรเชสเตอร์ อิเล็กทรอนิกส์ จํากัด | DS1245AB-70+ VS DS1245AB-70IND |
| DS1245Y-70IND ความจํา |
128KX8 โมดูล SRAM ที่ไม่ลุกลุก 70ns DMA32 0.740 Inch โมดูลขยาย DIP-32 | บริษัท โรเชสเตอร์ อิเล็กทรอนิกส์ จํากัด | DS1245AB-70+ VS DS1245Y-70IND |
| M48Z128Y-70PM1 ความจํา |
128KX8 โมดูล SRAM ที่ไม่ลุกลุก 70ns PDMA32 PMDIP-32 | STMicroelectronics เครื่องอิเล็กทรอนิกส์ | DS1245AB-70+ VS M48Z128Y-70PM1 |
| DS1245Y-70 ความจํา |
โมดูล SRAM ที่ไม่ลุกลุก 128KX8, 70ns CMOS 0.740 INCH โมดูลขยาย DIP-32 | สินค้าบูรณาการ Maxim | DS1245AB-70+ VS DS1245Y-70 |
| DS1245AB-70 ความจํา |
โมดูล SRAM ที่ไม่ลุกลุก 128KX8, 70ns CMOS PDIP32 0.740 INCH PLASTIC DIP32 | ดัลลัส เซมีคอนดักเตอร์ | DS1245AB-70+ VS DS1245AB-70 |
| DS1245Y-70IND+ ความจํา |
โมดูล SRAM ที่ไม่ลุกลุก 128KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, RoHS COMPLIT, DIP-32 | สินค้าบูรณาการ Maxim | DS1245AB-70+ VS DS1245Y-70IND+ |
| DS1245AB-70IND+ ความจํา |
โมดูล SRAM ที่ไม่ลุกลุก 128KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, RoHS COMPLIT, DIP-32 | สินค้าบูรณาการ Maxim | DS1245AB-70+ VS DS1245AB-70IND+ |
| M48Z128-70PM1 ความจํา |
128KX8 โมดูล SRAM ที่ไม่ลุกลุก 70ns PDMA32 PMDIP-32 | STMicroelectronics เครื่องอิเล็กทรอนิกส์ | DS1245AB-70+ VS M48Z128-70PM1 |
คําอธิบาย
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) ความจํา IC 1Mb (128K x 8) ปานกลาง 70ns 32-EDIP
NVRAM 1024K SRAM ไม่ลุกล้า
แนะนำผลิตภัณฑ์
