ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
ชื่อผู้ติดต่อ : Zhao
หมายเลขโทรศัพท์ : +8613724359686
วอทส์แอพพ์ : +8618018788085

MT48LC2M32B2P-6:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II บริษัทไมโครน เทคโนโลยี จํากัด

  • MT48LC2M32B2P-6:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II Micron Technology Inc.
ชื่อแบรนด์ Micron Technology Inc.
หมายเลขรุ่น MT48LC2M32B2P-6:G TR
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ 1
ราคา Based on current price
รายละเอียดการบรรจุ กระเป๋า & กล่องกระดาษกันสแตตติก
เวลาการส่งมอบ 3-5 วันทําการ
เงื่อนไขการชำระเงิน T/T
สามารถในการผลิต ในคลัง

ติดต่อฉันเพื่อรับตัวอย่างและคูปองฟรี

วอทส์แอพพ์:0086 18588475571

วีแชท: 0086 18588475571

สไกป์: sales10@aixton.com

หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง

x
รายละเอียดสินค้า
ประเภทหน่วยความจำ ระเหย รูปแบบหน่วยความจำ แรม
เทคโนโลย เอสดีแรม ขนาดหน่วยความจำ 64Mbit
องค์การหน่วยความจำ 2ม.x32 อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ ขนาน
ความถี่นาฬิกา 167 เมกะเฮิรตซ์ เขียนรอบเวลา - Word, หน้า 12 น
เข้าถึงเวลา 5.5 น โลเตจ - การให้บริการ 3V ~ 3.6V
อุณหภูมิการทํางาน 0°C ~ 70°C (TA) ประเภทการติดตั้ง การติดตั้งพื้นผิว
กล่อง / กระเป๋า 86-TFSOP (0.400", ความกว้าง 10.16 มม.) แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย 86-TSOP II
คุณสามารถเลือกผลิตภัณฑ์ที่คุณต้องการและสื่อสารกับเราได้ในกระดานข้อความ
Part Number Description
MT48LC2M32B2P-6:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-7 IT:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-7:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-6:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-7 IT:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-7:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2TG-6:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2TG-7 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-7 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-55:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-55:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-5:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-5:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6 IT:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6 IT:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-55:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-55:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-5:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-6 IT:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-6 IT:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6:G IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-7 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-7:G IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2TG-7:G IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2TG-7:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC8M32B2P-6 TR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC8M32B2P-7 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC8M32B2P-7 TR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC8M32B2TG-6 TR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC8M32B2TG-7 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC8M32B2TG-7 TR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-7:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-7 IT:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-7:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A AAT:L IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A XIT:L IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A IT:L TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-5:J TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A IT:J TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A:J TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A AIT:L TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-5:J IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A AAT:J IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A AIT:J IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A IT:J IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A:J IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A AIT:L IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A IT:L IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A:L IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A AAT:J TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A AIT:J TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A:L TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A AAT:L TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A XIT:L TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
ฝากข้อความ
Part Number Description
รายละเอียดสินค้า

รายละเอียดสินค้า

คําอธิบายทั่วไป

SDRAM ขนาด 64Mb เป็นความเร็วสูง CMOS, ความจําการเข้าสุ่มแบบไดนามิก ที่มี 67108,864 บิต. มันถูกตั้งค่าภายในเป็น DRAM ธนาคารสี่แบบที่มีอินเตอร์เฟซร่วม (สัญญาณทั้งหมดถูกจดทะเบียนบนขอบบวกของสัญญาณนาฬิกา, CLK)777ธนาคารขนาด 216 บิตจัดเป็น 2,048 แถว โดย 256 คอลัมน์ โดย 32 บิต
การอ่านและการเขียนเข้าสู่ SDRAM เป็นการออกอากาศ; การเข้าเริ่มต้นที่สถานที่ที่ถูกเลือกและดําเนินการต่อจํานวนที่ตั้งโปรแกรมในลําดับที่ตั้งโปรแกรมการเข้าใช้งานเริ่มด้วยการลงทะเบียนคําสั่ง ACTIVE, ซึ่งจะติดตามด้วยคําสั่ง READ หรือ WRITE. บิตที่อยู่ที่ลงทะเบียนตรงกับคําสั่ง ACTIVE จะใช้ในการเลือกธนาคารและแถวที่จะเข้าถึง (BA0, BA1เลือกธนาคาร,A0-A10 เลือกแถว). บิตที่อยู่ที่บันทึกพร้อมกับคําสั่ง READ หรือ WRITE จะใช้ในการเลือกตําแหน่งคอลัมน์เริ่มต้นสําหรับการเข้าถึงการกระแทก

ลักษณะ

•ฟังก์ชัน PC100
• สมองกันอย่างสมบูรณ์; สัญญาณทั้งหมดถูกบันทึกบนขอบบวกของนาฬิการะบบ
• การทํางานภายในท่อ; ที่อยู่คอลัมน์สามารถเปลี่ยนทุกวัฏจักรนาฬิกา
• ธนาคารภายในสําหรับการซ่อนการเข้าถึงแถว/การชาร์จล่วงหน้า
• ความ ยาว ของ ภาพ ที่ สามารถ โปรแกรม ได้: 1, 2, 4, 8 หรือ หน้า เต็ม
• อัตโนมัติ Precharge รวมถึง CONCURRENT AUTO PRECHARGE และ Auto Refresh Mode
• รูปแบบ อัตโนมัติ
• 64ms, 4,096 หมุนการอัพเดท (15.6μs/แถว)
• การเข้าและการออกที่เข้ากับ LVTTL
• แหล่งพลังงาน +3.3V ±0.3V
• รองรับความช้า CAS 1, 2 และ 3

รายละเอียด

คุณสมบัติ ค่าประกอบ
ผู้ผลิต บริษัทไมครอน เทคโนโลยี จํากัด
ประเภทสินค้า IC ความจํา
ซีรี่ย์ -
การบรรจุ
กล่องกล่อง 86-TFSOP (0.400" ความกว้าง 10.16 มม)
อุณหภูมิการทํางาน 0°C ~ 70°C (TA)
อินเตอร์เฟซ คู่เคียง
พลังงานไฟฟ้า 3 V ~ 3.6 V
กล่องเครื่องมือของผู้จัดส่ง 86-TSOP II
ความจดจํา 64M (2M x 32)
ประเภทความจํา SDRAM
ความเร็ว 167MHz
ฟอร์มาต-เมมรี่ แรม

คําอธิบาย

แมมโมรี่ SDRAM IC 64Mb (2M x 32) ปานกลาง 167MHz 5.5ns 86-TSOP II
แท็ก:

IC หน่วยความจำแฟลชที่เสถียร

IC หน่วยความจำแฟลชไม่ลบเลือน

IC หน่วยความจำแฟลช SPI