ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
ชื่อผู้ติดต่อ : Zhao
หมายเลขโทรศัพท์ : +8613724359686
วอทส์แอพพ์ : +8618018788085

MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA บริษัทไมโครน เทคโนโลยี

  • MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA Micron Technology Inc.
ชื่อแบรนด์ Micron Technology Inc.
หมายเลขรุ่น MT41K256M8DA-125:เค
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ 1
ราคา Based on current price
รายละเอียดการบรรจุ กระเป๋า & กล่องกระดาษกันสแตตติก
เวลาการส่งมอบ 3-5 วันทําการ
เงื่อนไขการชำระเงิน T/T
สามารถในการผลิต ในคลัง

ติดต่อฉันเพื่อรับตัวอย่างและคูปองฟรี

วอทส์แอพพ์:0086 18588475571

วีแชท: 0086 18588475571

สไกป์: sales10@aixton.com

หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง

x
รายละเอียดสินค้า
ประเภทหน่วยความจำ ระเหย รูปแบบหน่วยความจำ แรม
เทคโนโลย SDRAM - DDR3L ขนาดหน่วยความจำ 2กิกะบิต
องค์การหน่วยความจำ 256 ม. x 8 อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ ขนาน
ความถี่นาฬิกา 800 เมกะเฮิรตซ์ เขียนรอบเวลา - Word, หน้า -
เข้าถึงเวลา 13.75 น โลเตจ - การให้บริการ 1.283V~1.45V
อุณหภูมิการทํางาน 0°C ~ 95°C (TC) ประเภทการติดตั้ง การติดตั้งพื้นผิว
กล่อง / กระเป๋า 78-TFBGA แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย 78-FBGA (8x10.5)
คุณสามารถเลือกผลิตภัณฑ์ที่คุณต้องการและสื่อสารกับเราได้ในกระดานข้อความ
Part Number Description
MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 XIT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AAT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 XIT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107:J IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AAT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AIT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AIT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107 IT:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AIT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AAT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 IT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 IT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-093:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AAT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AAT:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AAT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 IT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AUT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AUT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 V:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 V:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G8RKB-107:P IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125:M IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-15E:M IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AIT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41J256M8DA-093:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 IT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K128M8DA-107 IT:J IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41J256M8DA-093:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G4DA-107:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-093:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G8RKB-107:N TR IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-093 IT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107 AIT:J IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107 AIT:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 IT:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AIT:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-125:P IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AIT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 IT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-125:P TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-093 IT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G8RKB-107:N IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-93:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-93:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G4DA-107:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
ฝากข้อความ
Part Number Description
รายละเอียดสินค้า

รายละเอียดสินค้า

[MCL]

แอมพลิเฟียร์ห้องปฏิบัติการ CW TWT

สําหรับการทดสอบราดาร์, EMC และ EW

เครื่องขยายความถี่ข่ายขยายความถี่ MT4100 ถูกนํามาใช้ในระบบ MT4000 TWT ที่ผ่านการพิสูจน์ในสนาม

การออกแบบแบบโมดูล แพคเกจที่คอมแพคคับและมีประสิทธิภาพ MT4100 จะแสดงความน่าเชื่อถือที่ไม่แพ้

ลักษณะ:

ความสามารถในการวินิจฉัยที่กว้างขวาง
การออกแบบอุณหภูมิที่ทันสมัย
ขนาดเล็ก
การเย็นโดยท่อ
การดําเนินงานอย่างเงียบ

รายละเอียด

คุณสมบัติ ค่าประกอบ
ผู้ผลิต บริษัทไมครอน เทคโนโลยี จํากัด
ประเภทสินค้า IC ความจํา
ซีรี่ย์ -
การบรรจุ ตู้บรรจุอื่น
กล่องกล่อง 78-TFBGA
อุณหภูมิการทํางาน 0°C ~ 95°C (TC)
อินเตอร์เฟซ คู่เคียง
พลังงานไฟฟ้า 1.283 V ~ 1.45 V
กล่องเครื่องมือของผู้จัดส่ง 78-FBGA (8x10.5)
ความจดจํา 2G (256M x 8)
ประเภทความจํา DDR3L SDRAM
ความเร็ว 800MHz
ฟอร์มาต-เมมรี่ แรม
Mfr บริษัทไมครอน เทคโนโลยี
แพ็คเกจ ตะกร้า
สถานะสินค้า กิจกรรม
ประเภทความจํา อัตราการลุกลุก
การจัดรูปแบบความจํา DRAM
เทคโนโลย SDRAM - DDR3L
ขนาดความจํา 2Gb (256M x 8)
อินเตอร์เฟซความจํา คู่เคียง
ความถี่ของนาฬิกา 800 MHz
Write-Cycle-Time-Word-Page การเขียน -
เวลาการเข้า 13.75 น
พลังงานไฟฟ้า 1.283V ~ 1.45V
ประเภทการติดตั้ง การติดตั้งพื้นผิว
กล่องกล่อง 78-TFBGA
จํานวนผลิตภัณฑ์ฐาน MT41K256M8

องค์ประกอบที่เข้ากันได้

รูปแบบ แพคเกจ ส่วนประกอบที่เข้ากันได้

ส่วนผู้ผลิต คําอธิบาย ผู้ผลิต เทียบ
H5TQ2G83CFR-H9C
ความจํา		 DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN ฟรีและ RoHS สอดคล้อง, FBGA-78 SK Hynix Inc MT41K256M8DA-125:K VS H5TQ2G83CFR-H9C
MT41K256M8DA-125IT:K
ความจํา		 DDR DRAM, 256MX8, CMOS, PBGA78, 8 X 10.50 MM, LEAD ฟรี, FBGA-78 บริษัทไมครอน เทคโนโลยี MT41K256M8DA-125:K VS MT41K256M8DA-125IT:K
H5TQ2G83FFR-PBC
ความจํา		 DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, FBGA-78 SK Hynix Inc MT41K256M8DA-125:K vs H5TQ2G83FFR-PBC
H5TQ2G83CFR-PBC
ความจํา		 DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN ฟรีและ RoHS สอดคล้อง, FBGA-78 SK Hynix Inc MT41K256M8DA-125:K VS H5TQ2G83CFR-PBC
H5TC2G83CFR-PBA
ความจํา		 DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN ฟรีและ RoHS สอดคล้อง, FBGA-78 SK Hynix Inc MT41K256M8DA-125:K vs H5TC2G83CFR-PBA
MT41K256M8DA-125:M
ความจํา		 DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10.50 MM, LEAD ฟรี, FBGA-78 บริษัทไมครอน เทคโนโลยี MT41K256M8DA-125:K VS MT41K256M8DA-125:M
MT41K256M8DA-107:K
ความจํา		 DDR DRAM, 256MX8, 0.195ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, lead free, FBGA-78 บริษัทไมครอน เทคโนโลยี MT41K256M8DA-125:K VS MT41K256M8DA-107:K
H5TQ2G83DFR-RDC
ความจํา		 DDR DRAM, 256MX8, 0.195ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN ฟรีและ RoHS สอดคล้อง, FBGA-78 SK Hynix Inc MT41K256M8DA-125:K vs H5TQ2G83DFR-RDC
H5TQ2G83EFR-PBC
ความจํา		 DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN ฟรีและ RoHS สอดคล้อง, FBGA-78 SK Hynix Inc MT41K256M8DA-125:K vs H5TQ2G83EFR-PBC
H5TQ2G83DFR-PBC
ความจํา		 DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN ฟรีและ RoHS สอดคล้อง, FBGA-78 SK Hynix Inc MT41K256M8DA-125:K vs H5TQ2G83DFR-PBC

คําอธิบาย

SDRAM - DDR3L Memory IC 2Gb (256M x 8) ปานกลาง 800MHz 13.75ns 78-FBGA (8x10.5)
ชิป DRAM DDR3L SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.35V 78 พิน FBGA
แท็ก:

IC หน่วยความจำแฟลชที่เสถียร

IC หน่วยความจำแฟลชไม่ลบเลือน

IC หน่วยความจำแฟลช SPI