ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA บริษัทไมโครน เทคโนโลยี
| ชื่อแบรนด์ | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| หมายเลขรุ่น | MT29C4G48MAZBBAKB-48 ไอที |
| จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ | 1 |
| ราคา | Based on current price |
| รายละเอียดการบรรจุ | กระเป๋า & กล่องกระดาษกันสแตตติก |
| เวลาการส่งมอบ | 3-5 วันทําการ |
| เงื่อนไขการชำระเงิน | T/T |
| สามารถในการผลิต | ในคลัง |
ติดต่อฉันเพื่อรับตัวอย่างและคูปองฟรี
วอทส์แอพพ์:0086 18588475571
วีแชท: 0086 18588475571
สไกป์: sales10@aixton.com
หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง
xรายละเอียดสินค้า
| ประเภทหน่วยความจำ | ไม่ระเหย, ระเหยได้ | รูปแบบหน่วยความจำ | แฟลช, แรม |
|---|---|---|---|
| เทคโนโลย | แฟลช - NAND, LPDRAM มือถือ | ขนาดหน่วยความจำ | 4Gbit (NAND), 2Gbit (LPDRAM) |
| องค์การหน่วยความจำ | 256M x 16 (NAND), 128M x 16 (LPDRAM) | อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ | ขนาน |
| ความถี่นาฬิกา | 208 เมกะเฮิรตซ์ | เขียนรอบเวลา - Word, หน้า | - |
| เข้าถึงเวลา | - | โลเตจ - การให้บริการ | 1.7V~1.95V |
| อุณหภูมิการทํางาน | -40 °C ~ 85 °C (TA) | ประเภทการติดตั้ง | การติดตั้งพื้นผิว |
| กล่อง / กระเป๋า | 168-ดับเบิลยูเอฟบีจีเอ | แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย | 168-WFBGA (12x12) |
คุณสามารถเลือกผลิตภัณฑ์ที่คุณต้องการและสื่อสารกับเราได้ในกระดานข้อความ
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT TR | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-5 IT:A | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-6 IT:A | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT29C4G48MAZAPAKQ-5 IT | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-5 IT:A | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-5 IT:A TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT TR | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT TR | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H32M32LFMA-5 IT:B TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H32M32LFMA-6 IT:B TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-5 IT:B TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-5 WT:B TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-6 IT:B TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-6 WT:B TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-5 IT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-5 WT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-6 IT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-6 WT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H32M32LFMA-5 IT:B | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H32M32LFMA-6 IT:B | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-5 IT:B | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-5 WT:B | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-6 IT:B | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-6 WT:B | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT29C4G96MAZBBCJG-48 IT | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT29C4G96MAZBBCJG-48 IT TR | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-48 IT:C | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-48 IT:C TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-48 WT:C | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA | |
| MT42L16M32D1LG-25 AAT:A | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA | |
| MT42L16M32D1LG-25 FAAT:A | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA | |
| EDB2432BCPA-8D-F-D | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| EDB2432BCPE-8D-F-D | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| EDB5432BEPA-1DAAT-F-D | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA | |
| EDB5432BEPA-1DIT-F-D | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA | |
| EDBA232B2PF-1D-F-D | IC DRAM 16GBIT PAR 168FBGA | |
| EDB1332BDPA-1D-F-D | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| EDB5432BEPA-1DIT-F-R TR | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA | |
| EDBA232B2PF-1D-F-R TR | IC DRAM 16GBIT PAR 168FBGA | |
| EDB5432BEPA-1DIT-F-R | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA |
รายละเอียดสินค้า
รายละเอียดสินค้า
คําอธิบายทั่วไป
อุปกรณ์ Micron NAND Flash ประกอบด้วยอินเตอร์เฟซข้อมูลแบบไม่สมองสําหรับการทํางาน I/O ที่มีความสามารถสูง อุปกรณ์เหล่านี้ใช้บัส 8 บิต (I/Ox) ที่มีความหลากหลายสูงในการถ่ายทอดคําสั่ง, ที่อยู่ และข้อมูลมีสัญญาณควบคุมห้าตัวที่ใช้ในการนําไปใช้งานอินเตอร์เฟซข้อมูลที่ไม่สมอง: CE#, CLE, ALE, WE#, และ RE# การควบคุมสัญญาณเพิ่มเติม อุปกรณ์ป้องกันการเขียนและติดตามสถานะอุปกรณ์ (R / B #)อินเตอร์เฟซฮาร์ดแวร์นี้สร้างอุปกรณ์จํานวนปินต่ําที่มีปินออทมาตรฐานที่ยังคงเหมือนกันจากความหนาแน่นหนึ่งไปยังอีกอัน, ทําให้การปรับปรุงในอนาคตเป็นความหนาแน่นสูงกว่าโดยไม่ต้องออกแบบใหม่ของบอร์ด
เป้าหมายคือหน่วยความจําที่เข้าถึงโดยสัญญาณเปิดชิป เป้าหมายมี NAND Flash ดี้หนึ่งหรือมากกว่าNAND Flash die เป็นหน่วยขั้นต่ําที่สามารถดําเนินการสั่งการและรายงานสถานะได้อย่างอิสระ. NAND Flash die ในรายละเอียด ONFI เรียกว่า logical unit (LUN) มีอย่างน้อย NAND Flash die หนึ่งต่อสัญญาณเปิดชิป สําหรับรายละเอียดเพิ่มเติมดูองค์กรอุปกรณ์และอาราย.
อุปกรณ์นี้มี ECC 4 บิตภายในที่สามารถเปิดใช้ GET/SET
ดูแผนภูมิภาคภายใน ECC และพื้นที่สํารองสําหรับ ECC สําหรับข้อมูลเพิ่มเติม
ลักษณะ
• Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0 ที่สอดคล้องกับ• เทคโนโลยีเซลล์ระดับเดียว (SLC)
• การจัดตั้ง
ขนาดหน้า x8: 2112 ไบท์ (2048 + 64 ไบท์)
ขนาดหน้า x16: 1056 คํา (1024 + 32 คํา)
ขนาดบล็อก: 64 หน้า (128K + 4K ไบท์)
ขนาดเครื่องบิน: 2 เครื่อง x 2048 บล็อกต่อเครื่อง
ขนาดของอุปกรณ์: 4Gb: 4096 บล็อก; 8Gb: 8192 บล็อก 16Gb: 16,384 บล็อก
• การทํางาน I/O แบบไม่สมอง
✅ tRC/tWC: 20ns (3.3V), 25ns (1.8V)
• การทํางานของเรียง
อ่านหน้า: 25μs 3
หน้าโปรแกรม: 200μs (TYP: 1.8V, 3.3V)
หน่วยลบ: 700μs (TYP)
• กําหนดการสั่งการ: ONFI NAND Flash Protocol
• ชุดคําสั่งระดับสูง
โปรแกรมหน้า cache mode4
อ่านหน้าแคชโหมด 4
โหมดโปรแกรมได้เพียงครั้งเดียว (OTP)
✓ คําสั่ง 2 ระดับ 4
✅ การดําเนินงานแบบ LUN
อ่านไอดีเฉพาะ
️ล็อคล็อค (1.8V เท่านั้น)
การเคลื่อนไหวข้อมูลภายใน
• Byte สถานการณ์การปฏิบัติงานให้วิธีโปรแกรมสําหรับการตรวจสอบ
✅ การดําเนินการเสร็จสิ้น
สภาพผ่าน/ล้มเหลว
สถานะป้องกันการเขียน
• สัญญาณ Ready/Busy# (R/B#) ให้วิธีฮาร์ดแวร์ในการตรวจจับการดําเนินงานสําเร็จ
• สัญญาณ WP#: เขียนป้องกันอุปกรณ์ทั้งหมด
• แบล็อกแรก (ที่อยู่ของบล็อก 00h) มีสิทธิเมื่อส่งจากโรงงานด้วย ECC สําหรับ ECC ขั้นต่ําที่จําเป็น ดู การจัดการความผิดพลาด
• บล็อค 0 ต้องการ ECC 1 บิต หากวงจร PROGRAM/ERASE ต่ํากว่า 1000
• ต้องการ RESET (FFh) เป็นคําสั่งแรกหลังจากเปิด
• วิธีอื่นของการเริ่มต้นอุปกรณ์ (Nand_In it) หลังจากเปิด (โรงงานติดต่อ)
• การเคลื่อนไหวข้อมูลภายในที่สนับสนุนภายในระนาบที่ข้อมูลถูกอ่าน
• คุณภาพและความน่าเชื่อถือ
การเก็บข้อมูล: 10 ปี
ความยั่งยืน: 100,000 โปรแกรม/ลบวงจร
• ระยะความดันการทํางาน
VCC: 2.7V 3.6V
VCC: 1.7V 1.95V
• อุณหภูมิการทํางาน:
✓ การค้า: 0 °C ถึง +70 °C
อุตสาหกรรม (IT): ¥40oC ถึง +85oC
• แพ็คเกจ
✅ 48 ปิน TSOP ประเภท 1, CPL2
วีเอฟบีจีเอ 63 ลูก
รายละเอียด
| คุณสมบัติ | ค่าประกอบ |
|---|---|
| ผู้ผลิต | บริษัทไมครอน เทคโนโลยี จํากัด |
| ประเภทสินค้า | IC ความจํา |
| ประเภท | PMIC - การจัดการพลังงาน - สาขาพิเศษ |
| ผู้ผลิต | ไดโอเดสอินคอร์เปอร์ |
| ซีรี่ย์ | - |
| สถานะส่วนหนึ่ง | ซื้อครั้งสุดท้าย |
| การใช้งาน | เครื่องควบคุมความร้อน |
| ปัจจุบัน-บริการ | - |
| พลังงานไฟฟ้า | 4V ~ 5.5V |
| อุณหภูมิการทํางาน | -20°C ~ 85°C (TA) |
คําอธิบาย
FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 4Gb (256M x 16) ((NAND), 2G (128M x 16) ((LPDRAM) ปานกลาง 208MHz
NAND Flash และมือถือ LPDDR PoP
แนะนำผลิตภัณฑ์
