MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA Micron Technology Inc.

ชื่อแบรนด์ Micron Technology Inc.
หมายเลขรุ่น MT40A1G4RH-083E:บี
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ 1
ราคา Based on current price
รายละเอียดการบรรจุ กระเป๋า & กล่องกระดาษกันสแตตติก
เวลาการส่งมอบ 3-5 วันทําการ
เงื่อนไขการชำระเงิน T/T
สามารถในการผลิต ในคลัง

ติดต่อฉันเพื่อรับตัวอย่างและคูปองฟรี

วอทส์แอพพ์:0086 18588475571

วีแชท: 0086 18588475571

สไกป์: sales10@aixton.com

หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง

x
รายละเอียดสินค้า
ประเภทหน่วยความจำ ระเหย รูปแบบหน่วยความจำ แรม
เทคโนโลย SDRAM - DDR4 ขนาดหน่วยความจำ 4กิกะบิต
องค์การหน่วยความจำ 1จีx4 อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ ขนาน
ความถี่นาฬิกา 1.2 กิกะเฮิรตซ์ เขียนรอบเวลา - Word, หน้า -
เข้าถึงเวลา - โลเตจ - การให้บริการ 1.14V~1.26V
อุณหภูมิการทํางาน 0°C ~ 95°C (TC) ประเภทการติดตั้ง การติดตั้งพื้นผิว
กล่อง / กระเป๋า 78-TFBGA แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย 78-FBGA (9x10.5)
คุณสามารถเลือกผลิตภัณฑ์ที่คุณต้องการและสื่อสารกับเราได้ในกระดานข้อความ
Part Number Description
MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT41K512M8RH-107:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8RH-125 AIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 IT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 M:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-107 IT:E IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8RH-107:E IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8RH-125 AIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 IT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 M:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT41K512M8RH-125 V:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 XIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 AAT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 M AIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 V:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 XIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 AAT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-062E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AUT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E IT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-083E IT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A1G4RH-075E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AAT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AIT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AIT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AAT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AUT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AAT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AIT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AUT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-075E IT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G4RH-075E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-062E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AAT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AIT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AUT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G4RH-083E:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
ฝากข้อความ
Part Number Description
รายละเอียดสินค้า

รายละเอียดสินค้า

คําอธิบาย

เครื่องยับยั้งความดันระยะยาว 1500 วัตต์นี้ ให้ความสามารถในการจัดการพลังงาน ที่พบได้ในแพคเกจขนาดใหญ่เท่านั้นพวกเขามักจะใช้สําหรับการป้องกันจากอาการแปรปรวนจากสภาพแวดล้อมการสลับแบบอํานวยการหรือผลประโยคฟ้าคะนองที่ระดับสองที่ระดับต่ํากว่าของ IEC61000-4-5ด้วยเวลาตอบสนองที่รวดเร็วมาก พวกเขายังมีประสิทธิภาพในการป้องกัน ESD หรือ EFTคุณลักษณะของแพคเกจ Powermite® ประกอบด้วยด้านล่างโลหะเต็มที่กําจัดความเป็นไปได้ของการติดลวด-ไหลเวียนระหว่างการประกอบมันยังมีแท็บล็อคแบบพิเศษ ที่ทําหน้าที่เป็นหน่วยระบายความร้อนแบบบูรณาการอุปทานปรสิตถูกลดให้ต่ําสุดเพื่อลดความแรงดันที่เกินช่วงเวลาที่เร็ว.

ลักษณะ

• แพคเกจติดตั้งพื้นผิวที่มีรูปร่างต่ํามาก (1.1 มม.)
• แท็บล็อคระบายความร้อน
• รองรับอุปกรณ์การใส่อัตโนมัติ
• ด้านล่างแบบโลหะเต็ม ทําให้ลมไม่ติด
• ระยะความดัน 5 โวลต์ ถึง 170 โวลต์
• มีทั้งในทางเดียวหรือทางสอง (คําตอบ C สําหรับทางสอง)

ค่าเรตติ้งสูงสุด

• อุณหภูมิการทํางาน: -55°C ถึง +150°C
• อุณหภูมิในการเก็บรักษา: -55°C ถึง +150°C
• พลังงานแรงกระแทกสูงสุด 1500 วัตต์ (10 / 1000 μsec)
•กระแสกระแสกระแสกระแสกระแสกระแสกระแสกระแสกระแสกระแสกระแสกระแสกระแสกระแสกระแสกระแสกระแสกระแสกระแสกระแสกระแสกระแสกระแสกระแสกระแสกระแสกระแสกระแสกระแสกระแสกระแสกระแสกระแสกระแส
• อัตราการเพิ่มซ้ํา (ปัจจัยการทํางาน): 0.01%
• ความต้านทานทางความร้อน: 2.5 °C / วัตต์ต่อตัวกระดูก 130 °C / วัตต์ต่อตัวกระดูกกับสภาพแวดล้อมที่มีการแนะนํา
• อุณหภูมิการนําและการติดตั้ง: 260°C 10 วินาที

แอพลิเคชั่น / ประโยชน์

• การป้องกันไฟฟ้าระยะสั้น
• การป้องกันการสลับแบบอัมพฤทธิ์
• มีผลลัพธ์น้อย
• อุปทานปรสิตที่ต่ํามากสําหรับการเกินความกระชับกําลังขนาดเล็ก
• ตรงกับ IEC61000-4-2 และ IEC61000-4-4 สําหรับการป้องกัน ESD และ EFT ตามลําดับ และ IEC61000-4-5 สําหรับระดับการกระตุ้นที่กําหนดไว้ในนี่

รายละเอียด

คุณสมบัติ ค่าประกอบ
ผู้ผลิต บริษัทไมครอน เทคโนโลยี จํากัด
ประเภทสินค้า IC ความจํา
ซีรี่ย์ -
การบรรจุ ตะกร้า
กล่องกล่อง 78-TFBGA
อุณหภูมิการทํางาน 0°C ~ 95°C (TC)
อินเตอร์เฟซ คู่เคียง
พลังงานไฟฟ้า 1.14 V ~ 1.26 V
กล่องเครื่องมือของผู้จัดส่ง 78-FBGA (9x10.5)
ความจดจํา 4G (1G x 4)
ประเภทความจํา DDR4 SDRAM
ความเร็ว 18 น
ฟอร์มาต-เมมรี่ แรม

คําอธิบาย

SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (1G x 4) ปานกลาง 1.2GHz 78-FBGA (9x10.5)
ชิป DRAM DDR4 SDRAM 4Gbit 1Gx4 1.2V 78 พิน FBGA