S70FL01GSAGMFI010 IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC เทคโนโลยี Infineon

คําอธิบายทั่วไป

เอกสารนี้มีข้อมูลสําหรับอุปกรณ์ S70FL256P ซึ่งเป็นกระดุมสองกระดุมของสองกระดุม S25FL129P

ลักษณะที่แตกต่างกัน
ข้อดีทางสถาปัตยกรรม
■ การใช้งานเครื่องพลังงานเดียว
ระยะความกระชับกําลังเต็ม: 2.7 ถึง 3.6V การอ่านและเขียน
■ สถาปัตยกรรมความทรงจํา
✅ภาค 64kB แบบเดียวกัน
บล็อกพารามิเตอร์ด้านบนหรือด้านล่าง (สองภาค 64-kB
แบ่งออกเป็น 16 ภาคย่อย 4kB แต่ละภาค)
แต่ละ Flash ตาย
✓ เซคเตอร์แบบเดียวกัน 256kB (ไม่มีภาคย่อย 4kB)
ขนาดหน้า 256 ไบท์
■ โปรแกรม
โปรแกรมหน้า (สูงสุด 256 ไบท์) ใน 1.5 ms (ทั่วไป)
การดําเนินงานของโปรแกรมมีแต่ละหน้า
โหมดโปรแกรมเร่งผ่าน 9V W# / ACC pin
โปรแกรมสี่หน้า
■ การลบ
ปฏิบัติการลบจํานวนมากสําหรับแต่ละ Flash die
สั่งลบภาค (SE) (D8h) สําหรับ 64 kB และ 256 kB
สาขา
️คําสั่งลบภาคย่อย (P4E) (20h) สําหรับภาค 4 kB
(สําหรับอุปกรณ์ภาคแบบเดียวกัน 64kB เท่านั้น)
✅คําสั่งลบภาคย่อย (P8E) (40h) สําหรับภาค 8 kB
(สําหรับอุปกรณ์ภาคแบบเดียวกัน 64kB เท่านั้น)
■ การ จักรยาน ความ อด ทน
✓ 100,000 จันทร์ต่อภาค
■ การเก็บข้อมูล
อายุประมาณ 20 ปี
■ ID เครื่อง
✅ การลงนามอิเล็กทรอนิกส์ระดับ JEDEC จํานวนสองไบท์
✅ สั่ง RES การลงนามอิเล็กทรอนิกส์ 1 ไบท์
ความเหมาะสม
■ พื้นที่โปรแกรมได้ครั้งเดียว (OTP) ในแต่ละ Flash die สําหรับ
การระบุตัวอย่างอย่างถาวรและปลอดภัย สามารถโปรแกรมและ
ล็อคในโรงงาน หรือโดยลูกค้า
■ สอดคล้องกับ CFI (Common Flash Interface)
ระบบในการระบุและรองรับอุปกรณ์ไฟฟ้าหลอดหลายเครื่อง
■ เทคโนโลยีกระบวนการ
ผลิตด้วยเทคโนโลยีกระบวนการ MirrorBit® ขนาด 0.09 μm
■ การเลือกแพคเกจ
ราคาต่อรอง ราคาต่อรอง
✅ 16 ปิน SO Package (300 มิลลิส)
✅ แพ็คเกจ BGA ขนาด 24 ลูก (6 x 8 มม.) สภาพ 5 x 5 ปิน
(ต่อ...)