IS43TR16512AL-15HBL IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA ISSI, บริษัท ซิลิคอนอินเทกรีต โซลูชั่น จํากัด

ลักษณะ

• โลตติจ์มาตรฐาน: VDD และ VDDQ = 1.5V ± 0.075V
• โวลเตจต่ํา (L): VDD และ VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
- ปรับปรุงความเป็นกันได้ในระดับ 1.5V
• อัตราการถ่ายทอดข้อมูลความเร็วสูง กับความถี่ของระบบถึง 933 MHz
• 8 ธนาคารภายในสําหรับการทํางานพร้อมกัน
•สถาปัตยกรรม 8n-Bit
• ความช้าของ CAS ที่สามารถโปรแกรมได้
• โปรแกรมการเพิ่มความช้า: 0, CL-1, CL-2
• ช่วงเวลารอเขียน CAS ที่สามารถเขียนโปรแกรมได้ (CWL) โดยใช้ tCK
• ความยาวการระเบิดที่สามารถเขียนโปรแกรมได้: 4 และ 8
• ระดับการกระจายเสียงที่สามารถโปรแกรมได้: ระดับต่อเนื่องหรือ Interleave
• เปลี่ยน BL ในขณะที่บิน
• อัตโนมัติ อัตโนมัติ (ASR)
• อุณหภูมิที่ทําให้ตัวเองอิ่ม (SRT)
• ระยะเวลาในการอัพเดท:
7.8 us (8192 วงจร/64 ms) Tc= -40°C ถึง 85°C
3.9 us (8192 วงจร/32 ms) Tc= 85°C ถึง 105°C
• การ อ่อนนวล ตัว เอง
• ปิน RESET ที่ไม่สมอง
• รองรับ TDQS (Termination Data Strobe) (เพียง x8)
• OCD (การปรับอาการขัดขวางของไดรเวอร์นอกชิป)
• ODT ดินามิค (On-Die Termination)
• ความแรงของไดรเวอร์: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• เขียนการจัดระดับ
• สูงสุด 200 MHz ในโหมดปิด DLL
• อุณหภูมิการทํางาน:
การค้า (TC = 0°C ถึง +95°C)
อุตสาหกรรม (TC = -40°C ถึง +95°C)
รถยนต์, A1 (TC = -40 °C ถึง +95 °C)
รถยนต์, A2 (TC = -40°C ถึง +105°C)