ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
W9725G8KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์
| ชื่อแบรนด์ | Winbond Electronics |
|---|---|
| หมายเลขรุ่น | W9725G8KB-25 TR |
| จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ | 1 |
| ราคา | Based on current price |
| รายละเอียดการบรรจุ | กระเป๋า & กล่องกระดาษกันสแตตติก |
| เวลาการส่งมอบ | 3-5 วันทําการ |
| เงื่อนไขการชำระเงิน | T/T |
| สามารถในการผลิต | ในคลัง |
ติดต่อฉันเพื่อรับตัวอย่างและคูปองฟรี
วอทส์แอพพ์:0086 18588475571
วีแชท: 0086 18588475571
สไกป์: sales10@aixton.com
หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง
xรายละเอียดสินค้า
| ประเภทหน่วยความจำ | ระเหย | รูปแบบหน่วยความจำ | แรม |
|---|---|---|---|
| เทคโนโลย | SDRAM - DDR2 | ขนาดหน่วยความจำ | 256Mbit |
| องค์การหน่วยความจำ | 32 ม. x 8 | อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ | ขนาน |
| ความถี่นาฬิกา | 200 MHz | เขียนรอบเวลา - Word, หน้า | 15 วินาที |
| เข้าถึงเวลา | 400 PS | โลเตจ - การให้บริการ | 1.7V ~ 1.9V |
| อุณหภูมิการทํางาน | 0°C ~ 85°C (ทีซี) | ประเภทการติดตั้ง | การติดตั้งพื้นผิว |
| กล่อง / กระเป๋า | 60-TFBGA | แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย | 60-WBGA (8x12.5) |
คุณสามารถเลือกผลิตภัณฑ์ที่คุณต้องการและสื่อสารกับเราได้ในกระดานข้อความ
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| W9725G8KB-25 TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W9725G8KB-18 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60WBGA | |
| W9725G8KB25I TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W9725G8KB-25 | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W9725G8KB-18 | IC DRAM 256MBIT PAR 60WBGA | |
| W9725G8KB25I | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W971GG8NB25I TR | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA | |
| W971GG8NB-25 TR | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA | |
| W971GG8NB-25 | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA | |
| W971GG8NB25I | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA | |
| W971GG8JB-25 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W971GG8KB-25 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W971GG8KB25I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W9751G8KB-25 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W9751G8KB25I | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W971GG8JB25I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W971GG8SB-25 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W971GG8SB25I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W971GG8KB-25 TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W971GG8KB25I TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W971GG8SB-25 TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W971GG8SB25I TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W9751G8KB-25 TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W9751G8KB25I TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60WBGA |
รายละเอียดสินค้า
รายละเอียดสินค้า
คําอธิบายทั่วไป
W9725G8JB เป็น DDR2 SDRAM ขนาด 256M บิต388,608 คํา x 4 ธนาคาร x 8 บิต อุปกรณ์นี้บรรลุอัตราการถ่ายทอดความเร็วสูงถึง 1066Mb / sec / pin (DDR2-1066) สําหรับการใช้งานทั่วไป W9725G8JB ถูกจัดเรียงเป็นเกรดความเร็วดังต่อไปนี้: -18, -25,25I และ -3. -18 เป็นที่สอดคล้องกับ DDR2-1066 (7-7-7) รายละเอียด-25/25I เป็นที่สอดคล้องกับ DDR2-800 (5-5-5) หรือ DDR2-800 (6-6-6) รายละเอียด (ประเภทอุตสาหกรรม 25I ที่รับประกันการรองรับ -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C)-3 เป็นที่สอดคล้องกับ DDR2-667 (5-5-5) รายละเอียด
ลักษณะ
• แหล่งไฟฟ้า: VDD, VDDQ = 1.8 V ± 0.1 V• สถาปัตยกรรมอัตราการส่งข้อมูลสองครั้ง: การโอนข้อมูลสองครั้งต่อวาระ
• CAS Latency: 3, 4, 5, 6 และ 7
• ความยาวของกระแทก: 4 และ 8
• การส่ง / รับข้อมูลด้วยสตร็อบข้อมูลขีดจําแนกสองทิศทาง (DQS และ DQS)
• ขอบตรงกับข้อมูลการอ่าน และศูนย์ตรงกับข้อมูลการเขียน
• DLL สอดคล้องการเปลี่ยน DQ และ DQS กับนาฬิกา
• การเข้าของนาฬิกาต่าง (CLK และ CLK)
• หน้ากากข้อมูล (DM) สําหรับการเขียนข้อมูล
• การสั่งการที่ใส่ในแต่ละขอบบวกของ CLK, ข้อมูลและหน้ากากข้อมูล
• โพสต์ CAS โปรแกรมการเติมความช้าสนับสนุนเพื่อทําให้การสั่งการและประสิทธิภาพบัสข้อมูล
• อ่านความช้า = ความช้าเพิ่มบวก CAS ความช้า (RL = AL + CL)
• การปรับอุปสรรค Off-Chip-Driver (OCD) และ On-Die-Termination (ODT) เพื่อคุณภาพสัญญาณที่ดีขึ้น
• การทํางานแบบอัตโนมัติสําหรับการอ่านและการเขียน
• โหมด Auto Refresh และ Self Refresh
• ปิดการใช้ไฟฟ้าที่ชาร์จก่อน และ ปิดการใช้ไฟฟ้าที่ทํางาน
• เขียนหน้ากากข้อมูล
• เขียนความช้า = อ่านความช้า -1 (WL = RL - 1)
• อินเตอร์เฟส: SSTL_18
• บรรจุใน WBGA 60 Ball (8X12.5 mm2) โดยใช้วัสดุไร้หมึกที่สอดคล้อง RoHS
รายละเอียด
| คุณสมบัติ | ค่าประกอบ |
|---|---|
| ผู้ผลิต | วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์ |
| ประเภทสินค้า | IC ความจํา |
| ซีรี่ย์ | - |
| การบรรจุ | แผ่นบรรจุอื่น ๆ ของเทปและรีล (TR) |
| กล่องกล่อง | 60-TFBGA |
| อุณหภูมิการทํางาน | 0 °C ~ 85 °C (TC) |
| อินเตอร์เฟซ | คู่เคียง |
| พลังงานไฟฟ้า | 1.7V ~ 1.9V |
| กล่องเครื่องมือของผู้จัดส่ง | 60-WBGA (8x12.5) |
| ความจดจํา | 256M (32M x 8) |
| ประเภทความจํา | DDR2 SDRAM |
| ความเร็ว | 2.5ns |
| ฟอร์มาต-เมมรี่ | แรม |
คําอธิบาย
SDRAM - DDR2 Memory IC 256Mb (32M x 8) ปานกลาง 200MHz 400ps 60-WBGA (8x12.5)
ชิป DRAM DDR2 SDRAM 256Mbit 32Mx8 1.8V 60-Pin WBGA
แนะนำผลิตภัณฑ์
