ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
IS61WV5128BLL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA ISSI, บริษัท ซิลิคอนอินเทกรีต โซลูชั่น จํากัด
| ชื่อแบรนด์ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|---|---|
| หมายเลขรุ่น | IS61WV5128BLL-10BLI |
| จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ | 1 |
| ราคา | Based on current price |
| รายละเอียดการบรรจุ | กระเป๋า & กล่องกระดาษกันสแตตติก |
| เวลาการส่งมอบ | 3-5 วันทําการ |
| เงื่อนไขการชำระเงิน | T/T |
| สามารถในการผลิต | ในคลัง |
ติดต่อฉันเพื่อรับตัวอย่างและคูปองฟรี
วอทส์แอพพ์:0086 18588475571
วีแชท: 0086 18588475571
สไกป์: sales10@aixton.com
หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง
xรายละเอียดสินค้า
| ประเภทหน่วยความจำ | ระเหย | รูปแบบหน่วยความจำ | แรม |
|---|---|---|---|
| เทคโนโลย | SRAM - อะซิงโครนัส | ขนาดหน่วยความจำ | 4Mbit |
| องค์การหน่วยความจำ | 512K x 8 | อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ | ขนาน |
| ความถี่นาฬิกา | - | เขียนรอบเวลา - Word, หน้า | 10ns |
| เข้าถึงเวลา | 10 nS | โลเตจ - การให้บริการ | 2.4V~3.6V |
| อุณหภูมิการทํางาน | -40 °C ~ 85 °C (TA) | ประเภทการติดตั้ง | การติดตั้งพื้นผิว |
| กล่อง / กระเป๋า | 36-TFBGA | แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย | 36-TFBGA (6x8) |
คุณสามารถเลือกผลิตภัณฑ์ที่คุณต้องการและสื่อสารกับเราได้ในกระดานข้อความ
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| IS61WV5128BLL-10BLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV2568BLL-55BLI-TR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV2568BLL-55BLI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS61WV5128BLL-10BLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV5128BLL-55BLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV5128BLL-55BLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS61LV5128AL-10BI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS61LV5128AL-10BI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS61LV5128AL-10BLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS61LV5128AL-10BLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS62WV2568BLL-70BI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV2568BLL-70BI-TR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV5128BLL-55BI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV5128BLL-55BI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS63LV1024L-12BI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS63LV1024L-12BI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS63LV1024L-12BLI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS63LV1024L-12BLI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS62WV5128DBLL-45BLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV5128DBLL-45BLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV5128DBLL-45BI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV5128DBLL-45BI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA |
รายละเอียดสินค้า
รายละเอียดสินค้า
คําอธิบาย
TheISSIIS61WV102416ALL/BLL และ IS64WV102416BLL เป็น RAM สแตตติกความเร็วสูง 16M-bit จัดเป็นคํา 1024K โดย 16 บิต. มันถูกผลิตโดยใช้เทคโนโลยี CMOS ที่มีประสิทธิภาพสูงของ ISSI.กระบวนการที่น่าเชื่อถือสูงนี้ พร้อมด้วยเทคนิคการออกแบบวงจรใหม่, ผลิตอุปกรณ์ที่มีประสิทธิภาพสูงและการบริโภคพลังงานต่ํา
ลักษณะ
• เวลาการเข้าถึงความเร็วสูง: 8, 10, 20 ns• กระบวนการ CMOS ที่มีประสิทธิภาพสูงและใช้พลังงานต่ํา
• การใช้พลังงานกลางหลายตัวและปินพื้นดินเพื่อป้องกันเสียงดังได้มากขึ้น
• การขยายความจําง่ายด้วยตัวเลือก CE และ OE
• การปิดไฟฟ้า CE
• การทํางานแบบสแตตติกอย่างสมบูรณ์: ไม่จําเป็นต้องใช้นาฬิกาหรืออัพเดทใหม่
• การเข้าและการออกที่สอดคล้องกับ TTL
• แหล่งพลังงานเดียว
VDD 1.65V ถึง 2.2V (IS61WV102416ALL)
ความเร็ว = 20 ns สําหรับ VDD 1.65V ถึง 2.2V
VDD 2.4V ถึง 3.6V (IS61/64WV102416BLL)
ความเร็ว = 10 ns สําหรับ VDD 2.4V ถึง 3.6V
ความเร็ว = 8ns สําหรับ VDD 3.3V + 5%
• แพ็คเกจที่มีอยู่:
มินิบีจีเอ 48 ลูก (9 มม x 11 มม)
✅ 48 ปิน TSOP (ประเภท I)
• การสนับสนุนอุตสาหกรรมและอุตสาหกรรมรถยนต์
• มีให้บริการโดยไม่นํา
• การควบคุมข้อมูลสําหรับไบท์บนและล่าง
รายละเอียด
| คุณสมบัติ | ค่าประกอบ |
|---|---|
| ผู้ผลิต | ISSI |
| ประเภทสินค้า | IC ความจํา |
| ซีรี่ย์ | IS61WV5128BLL |
| ประเภท | อิสินโครน |
| การบรรจุ | ตู้บรรจุอื่น |
| หน่วยน้ําหนัก | 0.008042 oz |
| สไตล์การติดตั้ง | SMD/SMT |
| กล่องกล่อง | 36-MBGA |
| อุณหภูมิการทํางาน | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| อินเตอร์เฟซ | คู่เคียง |
| พลังงานไฟฟ้า | 2.4 V ~ 3.6 V |
| กล่องเครื่องมือของผู้จัดส่ง | 36-miniBGA (8x10) |
| ความจดจํา | 4M (512K x 8) |
| ประเภทความจํา | SRAM - อิสินโครน |
| ความเร็ว | 10 น |
| อัตราข้อมูล | SDR |
| เวลาการเข้า | 10 ns |
| ฟอร์มาต-เมมรี่ | แรม |
| อุณหภูมิการทํางานสูงสุด | + 85 C |
| ระยะอุณหภูมิการทํางาน | - 40 C |
| ประเภทอินเตอร์เฟซ | คู่เคียง |
| การจัดตั้ง | 512 k x 8 |
| ปัจจุบันที่ให้บริการสูงสุด | 45 mA |
| ความดันไฟฟ้าสูงสุด | 3.6 V |
| ความแรงดันไฟฟ้า- นาที | 2.4 V |
| กล่องกล่อง | BGA-36 |
องค์ประกอบที่เข้ากันได้
รูปแบบ แพคเกจ ส่วนประกอบที่เข้ากันได้
| ส่วนผู้ผลิต | คําอธิบาย | ผู้ผลิต | เทียบ |
| IS61WV5128BLL-10BI ความจํา |
SRAM มาตรฐาน 512KX8, 10ns, CMOS, PBGA36, 6 X 8 MM, MINI, BGA-36 | บริษัท ซิลิคอนโซลูชั่นอินเทกรีท | IS61WV5128BLL-10BLI VS IS61WV5128BLL-10BI |
คําอธิบาย
SRAM - แมมรี่ IC แบบไม่สมอง 4Mb (512K x 8) ทิศทาง 10ns 36-miniBGA (8x10)
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-Bit 512K x 8 10ns 36 ปิน มินิ-BGA
SRAM 4M (512Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v
แนะนำผลิตภัณฑ์
