ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
คำหลัก [ ic ] การจับคู่ 1991 ผลิตภัณฑ์.
CY7C0853AV-100BBC IC SRAM 9MBIT PAR 172FBGA ไซเปรส เซมคอนดักเตอร์ คอร์ป
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SRAM - พอร์ตคู่, ซิงโครนัส |
IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA ISSI บริษัท ซิลิคอนอินเทกรีต โซลูชั่น จํากัด
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | พีแรม |
| เทคโนโลย: | PSRAM (Pseudo SRAM) |
MT29F512G08CKCABH7-6:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA Micron Technology Inc.
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แฟลช |
| เทคโนโลย: | แฟลช - NAND (MLC) |
IS25LP064A-JLLE IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON ISSI, บริษัท ซิลิคอนอินเทกรีต โซลูชั่น อินค
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แฟลช |
| เทคโนโลย: | แฟลช - NOR |
AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II อัลไลอันซ์ แมมมรี่, Inc.
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | เอสดีแรม |
R1LP0408DSP-7SI#S0 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32SOP รีเนเซส อิเล็กทรอนิกส์ อเมริกา
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | แรม |
S29CD016J0MQFM030 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP เทคโนโลยี Infineon
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แฟลช |
| เทคโนโลย: | แฟลช - NOR |
CYDM256B16-55BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA เทคโนโลยี Infineon
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SRAM - พอร์ตคู่, MoBL |
AS7C1024B-12TJCN IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ อัลไลอันซ์ แมมมรี่, Inc.
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SRAM - อะซิงโครนัส |
AS7C1024B-12JCN IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ อัลไลอันซ์ แมมมรี่, Inc.
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SRAM - อะซิงโครนัส |