ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
M24C02-FMC6TG ไอซี EEPROM 2KBIT I2C 8UFDFPN STไมโครอิเล็กทรอนิกส์
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | อีพรอม |
| เทคโนโลย: | อีพรอม |
CY7C1464AV33-167BGI IC SRAM 36MBIT PAR 209FBGA ซายเพรสเซมคอนดักเตอร์คอร์ป
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SRAM - ซิงโครนัส, SDR |
W949D2DBJX5I IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SDRAM - LPDDR มือถือ |
NM93C06M8 IC EEPROM 256BIT ไมโครโฟน 8SOIC ออนเซมิ
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | อีพรอม |
| เทคโนโลย: | อีพรอม |
MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA บริษัทไมโครน เทคโนโลยี
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ระเหย, ระเหยได้ |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แฟลช, แรม |
| เทคโนโลย: | แฟลช - NAND, LPDRAM มือถือ |
IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA ISSI, บริษัท ซิลิคอนอินเทกรีต โซลูชั่น จํากัด
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SDRAM - DDR |
MT44K16M36RB-107E:B TR IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA Micron Technology Inc.
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | แรม |
MX25L2006EM1I-12G IC FLASH 2MBIT SPI 86MHZ 8SOP แมคโรนิกซ์
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แฟลช |
| เทคโนโลย: | แฟลช - NOR |
MT29F128G08CBCABH6-6:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA บริษัทไมโครน เทคโนโลยี
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แฟลช |
| เทคโนโลย: | แฟลช - NAND |
W631GG6KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SDRAM - DDR3 |