ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA บริษัทไมโครน เทคโนโลยี
ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
---|---|
รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
เทคโนโลย: | SDRAM - DDR3L |
MT49H16M18SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT ขนาน 144FBGA Micron Technology Inc.
ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
---|---|
รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
เทคโนโลย: | แรม |
71V256SA15PZGI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP เรเนซัส อิเล็กทรอนิกส์ อเมริกา อินค
ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
---|---|
รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
เทคโนโลย: | SRAM - อะซิงโครนัส |
MTFC2GMVEA-0M WT TR IC FLASH 16GBIT MMC 153VFBGA ไมครอนเทคโนโลยีอิงค์
ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
---|---|
รูปแบบหน่วยความจำ: | แฟลช |
เทคโนโลย: | แฟลช - NAND |
IS42S16100H-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA ISSI, บริษัท ซิลิคอนอินเทกรีต โซลูชั่น จํากัด
ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
---|---|
รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
เทคโนโลย: | เอสดีแรม |
CY62256LL-70SNXI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC ซายเพรส เซมคอนดักเตอร์ คอร์ป
ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
---|---|
รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
เทคโนโลย: | SRAM - อะซิงโครนัส |
AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II อัลไลอันซ์ แมมมรี่, Inc.
ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
---|---|
รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
เทคโนโลย: | SDRAM - DDR |
MT48LC2M32B2P-6:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II บริษัทไมโครน เทคโนโลยี จํากัด
ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
---|---|
รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
เทคโนโลย: | เอสดีแรม |
GS8662QT19BGD-333I IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FPBGA GSI Technology Inc
ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
---|---|
รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
เทคโนโลย: | SRAM - พอร์ตสี่พอร์ตแบบซิงโครนัส |
BR24G02FV-3GTE2 IC EEPROM 2KBIT I2C 8SSOPB โรห์มเซมีคอนดักเตอร์
ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
---|---|
รูปแบบหน่วยความจำ: | อีพรอม |
เทคโนโลย: | อีพรอม |