ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
AT45DB041E-SHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC เรเนซัส ดีไซน์ เยอรมัน GmbH
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แฟลช |
| เทคโนโลย: | แฟลช |
FM18W08-PG IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP ไซเพรส เซมคอนดักเตอร์ คอร์ป
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | เฟรม |
| เทคโนโลย: | FRAM (แรมเฟอร์โรอิเล็กทริก) |
MT29F128G08AUCBBH3-12:B IC FLASH 128GBIT PAR 100LBGA Micron Technology Inc
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แฟลช |
| เทคโนโลย: | แฟลช - NAND |
MT41K64M16TW-107:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA บริษัทไมโครน เทคโนโลยี
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SDRAM - DDR3L |
DS1345YP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP Analog Devices Inc./Maxim Integrated สาธารณรัฐ
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | เอ็นวีเอสแรม |
| เทคโนโลย: | NVSRAM (SRAM ไม่ลบเลือน) |
93LC46BT-I/OT IC EEPROM 1KBIT MIC WIRE SOT23-6 เทคโนโลยีไมโครชิป
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | อีพรอม |
| เทคโนโลย: | อีพรอม |
MT53B512M32D2NP-062 AIT:C TR IC DRAM 16GBIT 1.6GHZ 200WFBGA บริษัท มิกรออน เทคโนโลยี จํากัด
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
AT24CM01-SHD-B IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8SOIC เทคโนโลยีไมโครชิป
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | อีพรอม |
| เทคโนโลย: | อีพรอม |
CY7C1021DV33-10VXIT IC SRAM 1MBIT ขนาน 44SOJ Infineon Technologies
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SRAM - อะซิงโครนัส |
AT25DF021A-XMHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8TSSOP Renesas Design เยอรมนี GmbH
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แฟลช |
| เทคโนโลย: | แฟลช |