ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
IS43DR81280C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA ISSI, บริษัท ซิลิคอนอินเทกรีต โซลูชั่น จํากัด
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SDRAM - DDR2 |
DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrated สาธารณรัฐ
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | เอ็นวีเอสแรม |
| เทคโนโลย: | NVSRAM (SRAM ไม่ลบเลือน) |
CY7C10612G30-10ZSXI IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II เทคโนโลยี Infineon
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SRAM - อะซิงโครนัส |
IS25LP128-JBLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC ISSI, บริษัท ซิลิคอนอินเทกรีต โซลูชั่น อินค
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แฟลช |
| เทคโนโลย: | แฟลช - NOR |
IS25LP128-JMLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC ISSI, บริษัท ซิลิคอนอินเทกรีต โซลูชั่น อินค
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แฟลช |
| เทคโนโลย: | แฟลช - NOR |
CY62146EV30LL-45ZSXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II เทคโนโลยี Infineon
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SRAM - อะซิงโครนัส |
MX29F200CBTI-70G IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP แมคโรนิกซ์
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แฟลช |
| เทคโนโลย: | แฟลช - NOR |
S25FL128LAGNFI010 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON เทคโนโลยี Infineon
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แฟลช |
| เทคโนโลย: | แฟลช - NOR |
W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SDRAM - LPDDR มือถือ |
MTFC2GMTEA-WT TR IC FLASH 16GBIT MMC 153WFBGA Micron Technology Inc
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แฟลช |
| เทคโนโลย: | แฟลช - NAND |