ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
IDT71016S12PH IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II เรเนซัส อิเล็กทรอนิกส์ อเมริกา
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SRAM - อะซิงโครนัส |
CY7C1351S-133AXC IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP ไซเปรส เซมคอนดักเตอร์ คอร์ป
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SRAM - ซิงโครนัส, SDR |
MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA บริษัทไมโครน เทคโนโลยี
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SDRAM - LPDDR มือถือ |
AS6C4016-55ZIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II อัลไลอันซ์ แมมมรี่, Inc.
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SRAM - อะซิงโครนัส |
S25FL064LABMFI013 IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC เทคโนโลยี Infineon
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แฟลช |
| เทคโนโลย: | แฟลช - NOR |
MT25QL256ABA8ESF-0SIT IC FLASH 256MBIT SPI 133MHZ 16SO บริษัท ไมครอน เทคโนโลยี จํากัด
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แฟลช |
| เทคโนโลย: | แฟลช - NOR |
SST38VF6401B-70I/CD IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA เทคโนโลยีไมโครชิป
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แฟลช |
| เทคโนโลย: | แฟลช |
AT24C512C-SHD-T IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8SOIJ เทคโนโลยีไมโครชิป
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | อีพรอม |
| เทคโนโลย: | อีพรอม |
70V9269L12PRFGI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 128TQFP รีเนเซส อิเล็กทรอนิกส์ อเมริกา
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SRAM - พอร์ตคู่, ซิงโครนัส |
IS42S32200L-7TL IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II ISSI, บริษัท ซิลิคอนอินเทกรีต โซลูชั่น จํากัด
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | เอสดีแรม |