ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
S34MS01G104BHI010 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA ไซเพรส เซมคอนดักเตอร์ คอร์ป
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แฟลช |
| เทคโนโลย: | แฟลช - NAND |
MT47H64M4BP-37E:B TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA Micron Technology Inc
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SDRAM - DDR2 |
W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SDRAM - DDR3 |
W25Q32JVTBIQ IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24TFBGA วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แฟลช |
| เทคโนโลย: | แฟลช - NOR |
CY62128ELL-45SXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC เทคโนโลยี Infineon
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SRAM - อะซิงโครนัส |
CAT24C16WI-GT3 IC EEPROM 16KBIT I2C 8SOIC บนครึ่ง
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | อีพรอม |
| เทคโนโลย: | อีพรอม |
7026L15JG IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PLCC รีเนเซส อิเล็กทรอนิกส์ อเมริกา
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SRAM - พอร์ตคู่, อะซิงโครนัส |
AT27LV040A-12VI IC EPROM 4MBIT PARALLEL 32VSOP เทคโนโลยีไมโครชิป
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | อีพรอม |
| เทคโนโลย: | EPROM-OTP |
70V657S10BFG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA รีเนเซส อิเล็กทรอนิกส์ อเมริกา
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SRAM - พอร์ตคู่, อะซิงโครนัส |
FM25L16B-GTR IC FRAM 16KBIT SPI 20MHZ 8SOIC Infineon เทคโนโลยี
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | เฟรม |
| เทคโนโลย: | FRAM (แรมเฟอร์โรอิเล็กทริก) |