C8051F966-B-GM IC MCU 8BIT 32KB FLASH 76DQFN ห้องปฏิบัติการซิลิคอน

พลังงานต่ําสุด @ 3.6 V

- 110 μA/MHz, Low-Power Active, DC-DC เปิด
- 110 nA ไฟฟ้าหลับ พร้อมการเก็บข้อมูล
- 400 nA ปัจจุบันการนอนหลับกับ smaRTClock (LFO ภายใน)
- ปัจจุบันนอน 700 nA กับ smRTClock (XTAL ภายนอก)
- 2 μs ตื่นจากสภาพนอนใด ๆ

12 บิต 16 บท เครื่องแปลงอานาล็อกเป็นดิจิตอล

- สูงสุด 75 kps ในโหมด 12 บิต หรือ 300 kps ในโหมด 10 บิต
- ปินภายนอกหรือ VREF ภายใน (ไม่จําเป็นต้องมีตัวประกอบภายนอก)
- PGA บนชิปสามารถวัดความกระชับกําลังสูงถึงสองเท่าของความกระชับกําลังมาตรฐาน
- รูปแบบการฉีดอัตโนมัติกับ 16 บิต อัตโนมัติเฉลี่ยการสะสม
#NAME?

เครื่องเปรียบเทียบกระแสไฟฟ้าระดับต่ําสองเครื่อง

- โปรแกรมไฮสเตเรซิสและเวลาตอบสนอง
#NAME?

อุปกรณ์อ้างอิงปัจจุบันภายใน 6 บิต

- สูงสุด ± 500 μA; ความสามารถของแหล่งและซิงค์
#NAME?

เครื่องควบคุม LCD ที่บูรณาการ

- รองรับถึง 128 ส่วน (32x4)
#NAME?

อุปกรณ์นอกเฉพาะการวัด

- DC-DC buck converter ทําให้การปรับขนาดความแรงดินามิกสําหรับประสิทธิภาพสูงสุด (ผลิต 250 mW)
- ระบบสะสมอัมพาตแบบหลับด้วยสวิทช์โปรแกรม- de-bounce และ pull-up ระบบควบคุมตรงกับเซ็นเซอร์การวัด
- Data Packet Processing Engine (DPPE) ประกอบด้วยฮาร์ดแวร์ AES, DMA, CRC และบล็อกการโค้ดเพื่อเร่งโปรโตคอลลดสาย
- แมนเชสเตอร์และสาม-out-of-Six อุปกรณ์โคเดอร์สําหรับการประยุกต์ใช้พลังงานประหยัด

โครงการพัฒนาแกน 8051 μC ความเร็วสูง
- สถาปัตยกรรมคําสั่งแบบท่อดําเนินการ 70% ของคําสั่งใน 1 หรือ 2 นาฬิการะบบ

ความจํา

- แฟลชสูงสุด 128kB โปรแกรมในระบบ สามารถอ่าน / เขียน / ลบฟังก์ชันได้ครบครัน
- RAM ที่เก็บข้อมูลได้สูงสุด 8kB

อุปกรณ์ด้านนอกดิจิตอล

- ส่งเข้า/ออกได้ถึง 57 ท่าทุก 5 วอลต์ พร้อมความแรงขับเคลื่อนที่สามารถโปรแกรมได้
- UART ที่มีการปรับปรุงด้วยฮาร์ดแวร์, 2 สปิและ I2C สายพานลําดับพร้อมกัน
- เครื่องนับเวลา 16 บิต 4 เครื่อง
#NAME?

แหล่งเวลา

- ออสซิลเลอเตอร์ภายในความแม่นยํา: 24.5 MHz ด้วยความแม่นยํา ± 2% รองรับการทํางาน UART; โหมดกระจายสเปคตรัมสําหรับการลด EMI
- ออสไซเลเตอร์ภายในพลังงานต่ํา: 20 MHz
- ออสซิลเลอเตอร์ภายนอก: คริสตัล, RC, C, CMOS นาฬิกา
- SmaRTClock oscillator: 32.768 kHz คริสตัลหรือ 16.4 kHz LFO ภายในกับสามสัญญาณเตือนอิสระ

การปรับปรุงความผิดพลาดในชิป

- วงจรแก้ไขในชิปอํานวยความสะดวกความเร็วเต็ม ไม่ขัดแย้งในการแก้ไขระบบ (ไม่จําเป็นต้องมีตัวเลียนแบบ)
#NAME?

ตัวเลือกของแพคเกจ

- DQFN 76-ปิน (6x6 มม.), RoHS ตรง
- 40 ปิน QFN (6x6 มม.), RoHS ตรง
- QFP 80 ปิน (12x12 มม.)

ชุดพัฒนา: C8051F960DK

โลเตชั่นไฟฟ้า 1.8 ถึง 3.8 วอลต์
ระยะอุณหภูมิ: 40 °C ถึง + 85 °C