ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
คำหลัก [ ic ] การจับคู่ 1991 ผลิตภัณฑ์.
MTFC4GLGDM-AIT Z IC FLASH 32GBIT MMC 153TFBGA ไมครอนเทคโนโลยีอิงค์
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แฟลช |
| เทคโนโลย: | แฟลช - NAND |
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA บริษัทไมโครน เทคโนโลยี
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แฟลช |
| เทคโนโลย: | แฟลช - NAND (MLC) |
W25Q16DWUUIG IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8USON วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แฟลช |
| เทคโนโลย: | แฟลช - NOR |
DS1220AD-100IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrated รายงานความเห็นของผู้พิพากษา
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | เอ็นวีเอสแรม |
| เทคโนโลย: | NVSRAM (SRAM ไม่ลบเลือน) |
W9812G6KH-6 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | เอสดีแรม |
AS4C32M16D2A-25BIN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA อัลไลอันซ์ แมมมรี่, Inc.
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SDRAM - DDR2 |
RMLV0408EGSA-4S2#AA1 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I เรเนซัส อิเล็กทรอนิกส์ อเมริกา อินค
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | แรม |
MT47H128M4BT-37E:A TR IC DRAM 512MBIT PAR 92FBGA Micron Technology Inc.
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SDRAM - DDR2 |
MT29F1T08CPCABH8-6: A IC FLASH 1TB PARALLEL 166MHZ บริษัทไมโครน เทคโนโลยี
| ประเภทหน่วยความจำ: | ไม่ลบเลือน |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แฟลช |
| เทคโนโลย: | แฟลช - NAND |
AS7C4096A-12JIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ อัลไลอันซ์ แมมมรี่, Inc.
| ประเภทหน่วยความจำ: | ระเหย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ: | แรม |
| เทคโนโลย: | SRAM - อะซิงโครนัส |